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Micro-LED巨量转移技术产业化挑战

一、引言

显示技术是信息产业的重要入口，从阴极射线管到液晶显示，再到有机发光二极管显示，每一代显示技术的迭代都深刻改变了人们的信息获取方式与数字生活体验。近年来，Micro-LED（微米级发光二极管）技术凭借自发光原理带来的高亮度、长寿命、低功耗、快响应、广色域等核心优势，被产业界公认为下一代显示技术的主流方向，在超高清大屏显示、车载透明显示、AR/VR近眼显示、可穿戴柔性显示等领域具备广阔的应用前景。在Micro-LED的全制程体系中，巨量转移是连接外延芯片制造与终端显示模组的核心环节，其工艺水平直接决定了屏幕的显示质量、生产效率与最终成本。所谓巨量转移，是指将生长在蓝宝石、硅等外延衬底上的微米级红、绿、蓝三色LED芯片，通过特定的工艺方式，高精度、高效率、高良率地转移到玻璃、硅基、柔性聚合物等不同材质的驱动背板上，形成有序发光像素阵列的过程。一块常规的4K分辨率Micro-LED屏幕需要转移超过2400万颗独立的LED芯片，8K分辨率屏幕的芯片转移量更是超过7000万颗，其工艺复杂度与精度要求远超此前任何一代显示制造技术。

尽管全球学术界和产业界已经在巨量转移技术领域探索了十余年，先后开发出弹性印章转印、激光诱导转移、流体自组装、滚轴印刷转印、静电转印等多条技术路线，也在实验室环境下完成了多款小尺寸、小批量的样品验证，但截至目前，尚无任