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2026-2028年全球SiC/GaN产能过剩预警：基于全球在建产线的供需缺口动态平衡模型测算

摘要

本报告聚焦全球碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）功率半导体产业，针对2026至2028年可能出现的产能过剩风险进行深度预警与量化分析。

研究范围覆盖全球主要经济体，系统梳理了意法半导体、英飞凌、安森美、Wolfspeed及中国主要厂商的扩产计划与爬坡良率，并研判其对供需格局的冲击。

核心发现表明，若所有在建及规划产线如期投产，即便考虑60%-70%的成熟良率与设备交期延迟，2026年下半年全球SiC器件市场将首次出现10%以上的供给过剩，GaN器件市场将在2027年跟进。

在需求端，尽管新能源汽车与光储充领域仍维持高复合增长率，但增速斜率趋缓与产能释放的指数级曲线将形成剧烈剪刀差。

基于供需缺口动态平衡模型测算，我们预测主驱逆变器用SiCMOSFET将率先在2026年底触发价格战，而GaN功率芯片的价格战节点预计在2027年中期。

报告通过对竞争格局的演变、技术分化的路径以及资本开支的刚性约束进行分析，为投资者提供了在高估值泡沫破裂前的减仓逻辑与在细分赛道底部布局的机会识别。

第一章行业概况与研究框架

1.1行业定义与分类

本报告研究的宽禁带半导体特指碳化硅与氮化镓基功率器件。

碳化硅功率器件主要涵盖SiCMOSFET、SiCSBD（肖特基势垒二极管）及