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2026年高考物理半导体物理基础知识点巩固习题

一、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）

1.半导体材料在室温下的导电性主要取决于其内部自由电子和空穴的数量，以下哪种因素对自由电子和空穴的浓度影响最大？

A.材料的晶体结构

B.材料的温度

C.材料的掺杂浓度

D.材料的表面缺陷

解析：半导体导电性主要依赖于本征激发产生的自由电子和空穴，而掺杂浓度直接影响本征载流子浓度，因此选项C正确。晶体结构影响能带结构，温度影响本征激发，表面缺陷影响少数载流子寿命，但均非浓度的主要决定因素。

2.在N型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴，当温度升高时，以下哪种现象会显著增强？

A.扩散电流

B.漂移电流

C.本征激发产生的电子-空穴对

D.掺杂剂的电离程度

解析：温度升高会加剧本征激发，导致电子-空穴对数量增加，因此选项C正确。扩散电流和漂移电流受电场和浓度梯度影响，掺杂剂电离程度在室温以上变化较小。

3.P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，当P型半导体与N型半导体接触形成PN结时，以下哪个区域会形成内建电场？

A.P区

B.N区

C.PN结界面

D.结两侧的扩展区

解析：PN结形成后，P区空穴向