半导体设备国产化跟踪与订单能见度研究框架
国产化跟踪对象界定与分类
本框架跟踪半导体设备在前道刻蚀、薄膜、光刻、注入、清洗与量测六大类及后道测试与封装的国产化进度,按工序与制程节点双标签分类,制程以公开可查的示例区间标注,不涉及任何厂商审计口径。
厂商一律以化名××设备厂与××晶圆厂指代,结论仅反映公开信息与样本访谈,不构成投资评级或推荐,逐季复核分类边界。
类别
工序
国产化区间
制程节点
复核周期
刻蚀
前道
30%至50%
成熟节点
每季度
薄膜沉积
前道
20%至40%
成熟节点
每季度
清洗
前道
50%至70%
全节点
每季度
光刻
前道
5%至15%
先进节点
每
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