半导体厂超纯水系统能耗优化设计标准（网传 ASTM D8560-25 中文版工程稿）.docxVIP

半导体厂超纯水系统能耗优化设计标准（网传ASTMD8560-25中文版工程稿）

1.前言

本标准为半导体晶圆制造工厂超纯水（UPW）系统能耗评估、系统设计、设备选型、运行优化与验收的工程指南。适用于逻辑、存储芯片Fab，覆盖成熟制程、3nm/2nm先进EUV制程超纯水制备与循环管网系统。

配套参考文件：ASTMD5127、SEMIF61、SEMIF57、GB50685。

本标准聚焦水质达标前提下降低单位产水能耗，在不牺牲痕量金属、TOC、颗粒、DO等先进制程水质指标的约束下，从工艺路线、设备、水力、控制、余热回用、负荷调度六个维度给出强制性与推荐性节能设计条款。

2.第1章范围

2.11.1适用范围

适用于半导体工厂超纯水系统：原水预处理、双级反渗透RO、UV氧化、EDI、膜脱气、抛光混床、终端超滤、UPW循环分配管网、CIP化学清洗系统的新建、改扩建项目的能耗设计、能耗对标、调试与运维节能管控。覆盖产水规模：5~500m3/h晶圆厂超纯水站。

2.21.2不适用范围

锅炉给水、冷却水、污水回用系统、实验室小型纯水机；不改变ASTMD5127规定的半导体超纯水水质限值。

2.31.3术语定义

单位产水能耗：制备1m3合格POU超纯水从原水取水至使用点循环输送总电耗，kWh/m3；

水回收率：系统产水量÷原