ASTM D8267-24 中文版（3nm及以下先进制程半导体超纯水系统设计标准）（行业参考稿）.docxVIP

ASTMD8267-24中文版（3nm及以下先进制程半导体超纯水系统设计标准）（行业参考稿）

前言

网传ASTMD8267-24是针对3nm及以下先进制程半导体专用超纯水（UPW）系统设计专项指南，用于5nm、3nm、2nm及以下芯片制造超纯水工程设计、施工、验收、运维管理。本标准用于解决先进制程下微量污染物造成栅氧缺陷、光刻图形偏移、晶圆表面微污染、CMP抛光不均等良率问题，对痕量离子、纳米级颗粒、TOC、溶解气体、微生物管控要求相比7nm及以上成熟制程提升1~2个数量级。

提示：ASTM无官方中文版，本文为行业翻译整理稿，仅作技术研究参考。

1适用范围

本标准规定3nm、2nm及以下逻辑、存储芯片产线超纯水制备、输送、分配、终端回用系统的设计原则、设备选型、管路材质、水质指标、在线监测方案、调试验收、运维管控。

覆盖完整工艺链路：原水预处理、RO反渗透、EDI、抛光混床、紫外氧化、超滤、循环输配管网、终端POU（用水点）、废水回收。

本标准水质指标适用于晶圆清洗、刻蚀、沉积、CMP等湿制程用水。

本标准不适用于普通光伏、分立器件、成熟制程（≥7nm）产线纯水系统（可采用ASTMD5127）。

2引用规范性文件

ASTMD5127电子与半导体行业超纯水指南

ASTMD5391高纯水电阻率检测方法

ASTMD6317水中总有机碳TOC检测

SEMIF63