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半导体器件期末考试试题（含详细答案）

适用专业：电子信息工程、微电子科学与工程

考试时长：90分钟

满分：100分

考试说明：闭卷考试，答案书写工整、步骤完整，计算题需写出核心推导过程

一、填空题（每空1分，共20分）

1.半导体材料最核心的两种导电载流子是________和________。

2.本征半导体在绝对零度时，价带________，导带________，整体不具备导电能力。

3.N型半导体是以________为多数载流子，以________为少数载流子，主要掺杂________元素。

4.PN结正向偏置时，P区接电源________极，N区接电源________极，势垒高度________。

5.二极管的核心特性是________，反向击穿分为________击穿和________击穿两种。

6.三极管工作在放大区的核心条件是发射结________、集电结________。

7.场效应管是________控制器件，通过改变________控制漏极输出电流。

8.MOS管分为增强型和耗尽型，其中________型MOS管零栅压下无导电沟道。

9.半导体的热敏特性、光敏特性、掺杂特性中，________是可控改变半导体导电能力的核心方式。

10.三极管的电流放大系数β定义为________电流与________电流的比值。

二、单项选择题（每题2分，共