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半导体工艺测试试题（含详细答案）

适用范围：半导体制造、晶圆工艺、芯片制程岗位基础考核

考试时长：90分钟

满分：100分

注意事项：答案严谨贴合工业实际制程，无理论化空洞表述，贴合生产线实操标准

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体晶圆制造的基础衬底材料主流为（）

A.砷化镓B.单晶硅C.碳化硅D.氮化镓

2.晶圆清洗工艺中，SC1清洗液的主要作用是（）

A.去除金属杂质B.去除有机物与颗粒杂质C.刻蚀氧化层D.钝化晶圆表面

3.热氧化工艺生长的SiO?薄膜，与沉积氧化层相比，最核心优势是（）

A.生长速度快B.膜层致密、缺陷少、附着力强C.成本更低D.厚度更均匀

4.光刻工艺中，显影工序的核心目的是（）

A.固化光刻胶B.去除曝光/未曝光区域光刻胶，形成图形C.提高胶层附着力D.降低表面应力

5.干法刻蚀相较于湿法刻蚀，最大的工艺优势是（）

A.刻蚀速率快B.各向异性刻蚀，图形精度高C.成本低廉D.无晶圆损伤

6.离子注入工艺中，调整掺杂浓度的核心参数是（）

A.注入角度B.离子能量C.注入剂量D.真空度

7.CVD（化学气相沉积）工艺中，PECVD最适用于制备（）

A.高温致密栅氧化层B.低温介质薄膜、钝化层C.单晶