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半导体物理学期末考试试卷（含详细答案）

适用专业：微电子科学与工程、电子科学与技术

考试时长：120分钟

满分：100分

考试形式：闭卷

一、填空题（每空1分，共20分）

1.半导体的三种常见晶体结构分别为________、________和________。

2.硅、锗半导体的晶体结构属于________结构，其原子间以________键结合。

3.本征半导体的载流子包括________和________，二者浓度关系为________。

4.杂质半导体分为N型和P型，N型半导体的多数载流子是________，P型半导体的多数载流子是________。

5.施主杂质掺入硅中会提供________载流子，使半导体费米能级________；受主杂质掺入硅中会提供________载流子，使费米能级________。

6.载流子的两种主要运动形式为________和________。

7.PN结正向偏置时，空间电荷区宽度________，反向偏置时宽度________。

8.半导体中载流子复合的主要类型有________、________和表面复合。

9.雪崩击穿主要由________引起，齐纳击穿主要由________引起。

二、单项选择题（每题2分，共20分）

1.下列材料中，属于直接带隙半导体的是（）

A.硅B.锗C.砷化镓D.碳化硅