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半导体器件物理期末考试试题及详细参考答案

适用专业：微电子科学与工程、电子科学与技术

考试时长：120分钟

满分：100分

考试说明：闭卷考试，公式可自行推导，禁止携带教辅资料

一、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）

1.硅半导体晶体的晶格结构为（）

A.简单立方结构B.面心立方结构C.金刚石型结构D.体心立方结构

2.室温下，本征硅半导体的载流子浓度数量级为（）

A.10cmB.10cmC.10cmD.10cm

3.对于N型掺杂半导体，多数载流子是（）

A.空穴B.电子C.杂质离子D.晶格原子

4.PN结正向偏置时，势垒区的变化规律为（）

A.变宽、势垒高度升高B.变窄、势垒高度降低

C.变宽、势垒高度降低D.变窄、势垒高度升高

5.半导体中载流子的漂移运动主要由（）引起

A.浓度梯度B.电场作用C.温度梯度D.晶格散射

6.MOSFET器件的沟道夹断现象主要发生在（）

A.截止区B.线性区C.饱和区D.击穿区

7.下列杂质中，属于硅的受主杂质的是（）

A.磷（P）B.硼（B）C.砷（As）D.锑（Sb）

8.双极型晶体管（BJT）工作在放大区的核心条件是（）

A.发射