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半导体工艺岗位专业考核试题及详细答案

适用岗位：半导体工艺工程师、工艺技术员、晶圆制造工艺岗

考核范围：半导体基础工艺、晶圆制程、设备常识、工艺异常、洁净室规范

考试时长：90分钟

满分：100分

一、单项选择题（共20题，每题2分，共40分）

1、半导体晶圆制造的核心基底材料，目前量产主流材料是（）

A、砷化镓B、硅C、碳化硅D、氮化镓

2、单晶硅晶圆常用的晶向标识，量产硅片主流晶向为（）

A、100B、110C、111D、001

3、洁净室工艺区最高等级、对颗粒管控最严格的等级是（）

A、Class1000B、Class100C、Class10D、Class1

4、半导体工艺中，光刻工序的核心作用是（）

A、薄膜沉积B、图形转移C、晶圆减薄D、杂质扩散

5、刻蚀工艺中，能够实现精准纵向刻蚀、减少横向钻蚀的工艺类型是（）

A、湿法刻蚀B、干法刻蚀C、化学腐蚀D、浸泡刻蚀

6、离子注入工艺的主要目的是（）

A、平整晶圆表面B、向半导体内部掺入杂质，改变导电特性C、沉积绝缘层D、去除表面颗粒

7、以下不属于半导体薄膜沉积工艺的是（）

A、PVDB、CVDC、ALDD、RIE

8、CVD工艺中，影响薄膜沉积均匀性最关键的参数是（）

A、晶圆颜色B、反应温度、气体流量