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极紫外光刻掩模版多层膜缺陷控制用离子束溅射沉积设备技术进展

全局数据规范：全篇所有量化数据须标注来源与时间口径；历史数据须真实可溯，预测性数据须注明推断依据与关键假设；多采用表格呈现数据与对比信息。

本报告说明

极紫外光刻（EUV）技术是现代半导体制造突破7纳米及以下节点的核心动力。作为EUV光刻核心耗材，掩模版的质量直接决定了光刻图形的保真度与良率。其中，Mo/Si多层膜负责反射13.5纳米波长的极紫外光，其沉积质量是掩模版制造的重中之重。离子束溅射沉积（IBD）技术凭借高能量、低损伤和优异的膜层控制能力，成为沉积无缺陷Mo/Si多层膜的主流方案。

本报告聚焦薄膜沉积设备专