BS IEC 63601-2026 碳化硅金属氧化物半导体器件功率电子转换偏置温度不稳定性评估指南 标准立项发展报告.docxVIP

碳化硅金属氧化物半导体器件功率电子转换偏置温度不稳定性评估指南标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:GuidelineforEvaluatingBiasTemperatureInstabilityofSiliconCarbideMetal-Oxide-SemiconductorDevicesforPowerElectronicConversion

摘要

随着宽禁带半导体技术的快速发展，碳化硅（SiC）金属氧化物半导体（MOS）器件在功率电子转换领域得到广泛应用。然而，偏置温度不稳定性（BiasTemperatureInstability,BTI）作为影响SiCMOS器件可靠性的关键退化机制，已成为制约其大规模商业化应用的重要因素。BSIEC63601-2026《碳化硅金属氧化物半导体器件功率电子转换偏置温度不稳定性评估指南》由国际电工委员会（IEC）立项制定，于2026年2月28日正式实施。该标准系统规定了SiCMOS器件BTI效应的评估方法、测试条件、参数提取及数据分析流程，为器件制造商、系统集成商及科研机构提供了统一的技术规范。本报告详细阐述了该标准的立项背景、技术框架、核心内容及实施意义，分析了BTI评估技术的最新发展趋势，并结合国内外相关标准进行了对