中国科技大CulnS2薄膜材料的制备材料合成化学专题讲座课件PPT精品教案课件讲义PPT.pptVIP

CulnS2薄膜材料的制备一种三元Ⅰ一Ⅲ一VI族化合物半导体。是直接能隙半导体材料1禁带宽度为1.5ev2不存在光致衰退问题3较大的化学组成区间CuInS2作为太阳能电池的半导体材料，具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，将成为今后发展太阳能电池的一个重要方向。化学水浴法连续离子层吸附反应法磁控溅射法电沉积法真空蒸发法(单源，双源，三源)分子束外延喷雾热解法二CulnS2薄膜材料的制备方法ChemicalbathdepositionCBD将衬底沉浸在含有阴离子和阳离子的溶液中，两种离子浓度乘积达到两者的溶度积时便会在衬底上沉积出薄膜。①②5mlCuCl2·2H2O（0.5M）+10ml二甲基硫脲(0.5M)加入氨水调节PH=910mlInCl3（0.1M)+20mlTA硫代乙酰胺（1MCH3CSNH2）加入乙酸调节PH=3热处理而在低真空下，采取低温一高温两步退火处理后，薄膜的结晶度和形貌都有一定程度的提高，因此后者可以作为化学水浴沉积法制备CuInS2薄膜的后续热处理。(successiveionic-layeradsorptionandreaction)SILAR先将电极浸渍在阳离子溶液中，取出用去离子水漂洗，然后将电极浸渍于阴离子溶液中，取