第五章-离子注入低温掺杂1.pptVIP

*磁分析器的原理是利用磁场中运动的带电粒子所受洛仑兹力的偏转作用。在带电粒子速度垂直于均匀磁场的情况下,洛仑兹力可用下式表示这里v是离子速度,q是离子电荷,M是离子质量,B是磁场强度,r是离子圆周运动的半径(7-1)*这里Vext是吸极电压。(7-2)从等式(7-1)和(7-2)可以得到(7-3)*c)加速管(Accelerationtube)经过质量分析器出来的离子束,还要经过加速运动,才能打到硅片内部去。离子经过加速电极后,在静电场作用下加速到所需的能量。*高能注入机的线形加速器源原子质量分析磁体线形加速器最终能量分析磁体扫描盘硅片Figure17.17*d)聚焦和扫描系统(deflectionandscanning)离子束离开加速管后进入控制区,先由静电聚焦透镜使其聚焦。再进行x-y两个方向扫描,然后进入偏转系统,束流被偏转注到靶上。扫描是为了保证注入均匀性*扫描系统e)工艺腔包括真空排气系统,装卸硅片的终端台,硅片传输系统和计算机控制系统。*离子注入机的终端口PhotographprovidedcourtesyofInternationalSEMATECHPhoto17.3*离