晶体生长的助熔剂法课件PPT.pdfVIP

Fluxcrystalgrowth(助熔剂法生长单晶)

助熔剂法(早期称为熔盐法)生长晶体十分类似于溶液生长

法，因为这种方法的生长温度较高，故一般地称作高温溶液生

长法。它是将晶体的原成分在高温下溶解于低熔点助熔剂熔液

内，形成均匀的饱和溶液；然后通过缓慢降温或其他办法，形

成过饱和溶液．使晶体析出。

优点：(1)适用性很强，几乎对所有的材料，都能

够找到一些适当的助熔剂，从中将其单晶生长出

来；(2)生长温度低，适合许多难熔的化合物和在

熔点极易挥发或由于变价而分解释出气体的材料

，以及非同成分熔融化合物；(3)生长出的晶体可

以比熔体生长的晶体热应力更小、更均匀完整；

(4)助溶剂生长设备简单，坩埚及单晶炉发热体、

测温和控温都容易解决。

缺点：晶体生长的速度较慢、生长周期长、晶体

一般较小。许多助熔剂都具有不同程度的毒性，

其挥发物还常常腐蚀或污染炉体。

助熔剂法生长单晶的特点和分类

助熔剂中晶体生长的动力学过程类似于水溶液中晶体生长

的过程，在许多情况下，常常用水溶液中晶体牛长的某些结论

进行讨论。助熔剂法晶体生长的特点是：(1)三维成核要求的

过饱和度一般都比较大，晶体生长阶段所需要的过饱和度也比

较高；(2)晶体生长阶段一般遵从螺型位错生长机制，或通过

顶角和晶棱成核；(3)由于