CN118943128A 金属-绝缘体-金属电容及其形成方法 (杭州积海半导体有限公司).pdfVIP

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  • 2026-11-02 发布于重庆
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CN118943128A 金属-绝缘体-金属电容及其形成方法 (杭州积海半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118943128A

(43)申请公布日2024.11.12

(21)申请号202411427425.0

(22)申请日2024.10.14

(71)申请人杭州积海半导体有限公司

地址310020浙江省杭州市钱塘新区义蓬

街道江东大道3899号709-7号

(72)发明人赵子君胡明宇张杨李亮

(74)专利代理机构上海汉之律师事务所31378

专利代理师林安安

(51)Int.Cl.

H01L23/64(2006.01)

H10N97/00(2023.01)

权利要求书2页说明书9页附图8页

(54)发明名称

金属-绝

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