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半导体光刻胶边缘清洗剂与去边剂：面向极紫外光刻的化学相容性研究

全局数据规范：本报告所引用的历史数据均来源于SEMI、TechInsights、IRDS2023、东京应化（TOK）公开年报、JSR技术白皮书及SEMIWorldFabForecast（2024年6月版）等公开渠道，时间口径以自然年为准；预测性数据均基于本报告构建的”溶胀系数-清洗效率-回收率”三因子模型推演，关键假设已在第七章列示；多采用表格呈现数据与对比信息。

本报告说明

本报告聚焦于EUV光刻工艺中边缘清洗剂（EdgeBeadRemover,EBR）与去边剂（EdgeCleaner）的化学相