薄膜晶体管材料与技术：第4章-多晶硅薄膜晶体管.pptx

薄膜晶体管材料与技术MaterialsandTechnologyforThin-FilmTransistors

4多晶硅薄膜晶体管

3多晶硅材料材料结构：晶体结构：存在大量的晶粒和晶粒间界。晶粒内部长程有序性，晶界内部则是高度的无序性。能带结构：缺陷态主要集中于晶界区域，晶粒内部几乎没有缺陷态的存在非晶硅的晶体结构非晶硅的能带结构4多晶硅薄膜晶体管

4多晶硅材料晶化技术：将非晶硅转变为多晶硅的过程，这一转变通常通过诸多物理和化学方法实现，以提高硅材料的晶体质量和电学性能。包括直接制备法、热退火法、金属诱导晶化和准分子激光退火。其中准分子激光退火是TFT面板技术里面最成熟和常