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P型晶体硅太阳电池技术

章节导览半导体物理与PN结基础从能带到PN结，理解光生伏特效应的物理本质01

能带结构决定吸光上限01吸收的前提吸收条件光子能量≥禁带宽度Eg：价带电子跃迁导带，激发出非平衡电子-空穴对。02两种光子的命运两种光子的命运EEg直接穿透，不产生载流子。E≥Eg被吸收，产生非平衡载流子。03工艺/厚度的逻辑硅片厚度的由来短波光：表面约1μm薄层内基本吸收完毕。长波光：依赖100～300μm硅片厚度充分吸收。能带结构是后续一切器件设计与工艺选择的起点p型电池的本质，就是在合适带隙的材料中，用光照制造并分离非平衡载流子。

掺杂赋予硅可控导电性P型硅的“P”取自positive，N型硅的“N”取自negative，二者是构成太阳电池PN结的两块基石。p型晶体硅电池以p型硅为基底，一个重要原因是硼在硅中更易保证掺杂均匀性，工艺成熟且成本友好。本征硅导电能力有限，必须通过掺杂获得可控导电类型。掺硼得P型三价硼原子最外层只有3个电子，与硅成键时留下一个空穴。空穴成为可移动正电荷，是多数载流子。掺磷得N型五价磷原子最外层有5个电子，替换硅原子后多出的一个电子脱离束缚成为自由电子。自由电子是多数载流子。

PN结内建电场分离电荷第1步扩散先行扩散先行P区空穴与N区电子各自向低浓度侧迁移，交界面附近多子复合、浓度下降。第2