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第六章 非晶 有机和微结构半导体材料 李斌斌 6.1 非晶半导体材料 6.2 有机半导体材料 6.3 微结构半导体材料 6.1 非晶半导体材料 6.1.1 非晶的概念 6.1.2 非晶半导体的基本性质 6.1.3 非晶硅的应用 6.1 非晶的概念 与晶态半导体材料相比，非晶态半导体材料的原子在空间排列上失去了长程有序性，但其组成原子也不是完全杂乱无章地分布的。 由于受到化学键，特别是共价键的束缚，在几个原子的微小范围内，可以看到与晶体非常相似的结构特征。 所以，一般将非晶态材料的结构描述为：“长程无序，短程有序”。 用来描述非晶硅的结构模型很多，给出了其中的一种，即连续无规网络模型的示意图。 可以看出，在任一原子周围，仍有四个原子与其键合，只是键角和键长发生了变化，因此在较大范围内，非晶硅就不存在原子的周期性排列。 在非晶硅材料中，还包含有大量的悬挂键、空位等缺陷，因而其有很高的缺陷态密度，它们提供了电子和空穴复合的场所，所以，一般说，非晶硅是不适于做电子器件的。 6.1.2 非晶半导体的基本性质 （1）能带模型 （2）直流电导率 （3）光学性质 （1）能带模型 Mott-CFO模型： 短程有序－－基本能带 长程无序－－定域态带尾 悬挂键－－带隙中间形成隙态 钉扎效应 晶体硅中 施主杂质电离时直接向导带底释放一个电子参与导电 非晶硅中 施主杂质电离时，电子首先释放给隙态中未满的空能级 隙态能态密度越高，填充隙态所需施主杂质浓度越高 虽然掺入了较高浓度的杂质，也不能有效的移动费米能级 提高电阻率 氢补偿悬空键 为补偿悬空键，隙态密度1020 cm3 eV 补偿后，隙态密度将为1016 cm3 eV （2）直流电导率 非晶半导体中载流子输运是一种弥散输运－－长程无序 弥散输运有两种机制： a 多次陷落机制 b 跳跃机制 a 多次陷落机制 注入的载流子不仅有扩散运动 还会陷落到带尾定域态中 陷落后，只有被热激发才能再次参与输运 因此，载流子在运动过程中往往要经历多次陷落和再激发，而形成了弥散输运 b 跳跃机制 定域态之间的遂穿跳跃也可能形成载流子输运 定域态之间的空间距离也是随机分布的，形成了弥散输运 非晶半导体的总直流电导率 （3）光学性质 晶体半导体 直接跃迁和间接跃迁 满足能量守恒和动量守恒 间接跃迁时需要声子的参与 非晶半导体 电子跨越禁带时的跃迁没有直接跃迁和间接跃迁的区别 电子跃迁时不再遵守动量守恒的选择定则 非晶结构上的无序使非晶半导体中的电子没有确定的波失 a 光吸收与光带隙 非晶半导体的光吸收谱一般具有明显的三段式特征： A区：近红外区的低能吸收，吸收系数a随光子能量的变化趋于平缓 B区：吸收系数a随着光子能量增加而指数性上升；对应于电子从价带边扩展态到导带尾定域态，以及电子从价带尾定域态到导带边扩展态的跃迁 C区：本征吸收区；电子从价带到导带的跃迁；吸收系数a在104cm-1以上 C区，在可见光范围内，非晶硅的吸收系数大于单晶硅的吸收系数，显示了非晶硅在光电方面的应用前景 b 光电导 S-W效应，又称为光致退化效应，是Staebler和Wronski在1977年发现的 非晶硅样品经过一段时间光照后，其光电导和暗电导都显著下降，将样品经过热处理后，样品又恢复到原来的状态 6.1.3 非晶硅的优点 1. 很好的光学性能，很大的光吸收系数 2. 可实现高浓度掺杂，也能制备高质量的pn结和多层结构，易形成异质结 3. 通过组分控制，可在相当宽的范围内控制光学带隙 4. 可在较低温度下，采用化学气相沉积等方法进行制备薄膜 5. 生产过程相对简单 非晶硅的缺点 1. 缺乏长期稳定性，处于非平衡态，所制备器件存在性能退化，比如S-W效应 2. 载流子迁移率低，不利于制备高频高速器件；但可用于低功耗产品中 最主要应用－－非晶硅太阳能电池 1、非晶硅具有较高的光吸收系数。特别是在0.3-0.75μm的可见光波段，它的吸收系数比单晶硅要高出一个数量级。 因而它比单晶硅对太阳辐射的吸收效率要高40倍左右，用很薄的非晶硅膜（约1 μm厚）就能吸收90%有用的太阳能。 这是非晶硅材料最重要的特点，也是它能够成为低价格太阳能电池的最主要因素。 2、非晶硅的禁带宽度比单晶硅大，随制备条件的不同约在1.5-2.0 eV的范围内变化，这样制成的非晶硅太阳能电池的开路电压高。 3、制备非晶硅的工艺和设备简单，淀积温度低，时间短，适于大批生产。 4、由于非晶硅没有晶体所要求的周期性原子排列，可以不考虑制备晶体所必须考虑的材料与衬底间的晶格失配问题。因而它几乎可以淀积在任何衬底上，包括廉价的玻璃衬底，并且易于实现大面积化。 5、制备非晶硅太阳能电池能耗少，约100