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* 2.2 PN结的形成及特性 2.2.1 PN结的形成 2.2.2 PN结的单向导电性 2.2.3 PN结的反向击穿 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 空间电荷区 扩散运动的结果是使空间电荷区加宽，内电场增强。 2.2.1 PN结的形成 1、浓度差引起多数载流子的扩散运动 内电场阻止多子的进一步扩散。 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 空间电荷区 内电场越强，使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变窄。 漂移运动 2、内电场引起少数载流子的漂移运动 2.2.1 PN结的形成 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 空间电荷区 形成一定宽度的PN结 当扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡时，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。 漂移运动 2.2.1 PN结的形成 2、内电场引起少数载流子的漂移运动 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + PN结 N型区 P型区 电位V V0 2.2.1 PN结的形成 图2.2.1 PN结的形成（动画） 2.2.2 PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (1) PN结加正向电压时 PN结加正向电压时的导电情况 低电阻 大的正向扩散电流 PN结的伏安特性 PN结正向偏置 + + + + 内电场 外电场 PN结变窄 P N + _ IF － － － － + + + + － － － － P区接正 N区接负 内电场被削弱,多子的扩散运动加强，能够形成较大的扩散电流 IF ，PN结导通。 PN结的伏安特性 2.2.2 PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (2) PN结加反向电压时 PN结加反向电压时的导电情况 高电阻 很小的反向漂移电流 PN结反向偏置 + + + + 内电场 外电场 变宽 N P + _ IR≈0 － － － － + + + + － － － － P区接负 N区接正 内电场被加强，多子的扩散受抑制，少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。 温度一定，由本征激发决定的少子的浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流。 PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 2.2.2 PN结的单向导电性 2.2.2 PN结的单向导电性 (3) PN结V- I 特性表达式 式中： PN结的伏安特性 IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量 且在常温下（T=300K） 2.2.3 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然急剧增加，此现象称为PN结的反向击穿。 热击穿——不可逆 雪崩击穿：强电场把价电子从共价键中撞出来。 齐纳击穿：强电场把价电子从共价键中拉出来。 电击穿——可逆 VBR ——反向击穿电压 击穿原因