111取向PbLaTiO3铁电薄膜中90°纳米带状畴与热释电性能的研究.pdfVIP

第55卷第11期2006年11月 物 理学 报 1000—3290／2006／55(11)／6123—06 ACTAPHYSICASINlCA ⑥2006 Chin．Phys．Soc． 带状畴与热释电性能的研究* 刘 洪1’ 蒲朝辉1’ 龚小刚1’ 王志红2’ 黄惠东2’ 李言荣2’ 肖定全1’ 朱建国1’+ 1)(四川大学材料科学与工程学院，成都610064) 2)(电子科技大学微电子与固体电子学院，成都610054) (2006年3月3日收到；2006年4月25日收到修改稿) 压电响应力显微镜(PFM)分别观察了PLT薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构．PFM观察显示PLT薄膜中存在 90。纳米带状畴，电畴的极化为首尾相接的低能量的排列方式，带状畴的宽度为20一60nm．研究了PLTIO铁电薄膜的 制备条件与性能之间的关系．发现在优化条件下制备的PLTl0铁电薄膜的介电常数e，为365、介电损耗tg占为 0．02，热释电系数7为2．18×10～C·(cm2·K)，可以满足制备非制冷红外探测器的需要． 关键词：PLT薄膜，电畴，PFM，极化 PACC：7755，7780D，7770 为铁电薄膜的电畴结构的观察提供了新的途径¨引． 1．引 言 铁电薄膜中的电畴反转伴随着一定的压电效应，而 这种压电效应表明了电畴的空间重组。13I．利用PFM 由于铁电薄膜具有独特的介电、铁电、压电、存 观察样品的电畴结构，同时采用AFM模式能得到同 储、热释电、非线性光学效应等功能特性，可以在微 一区域的表面形貌，而且对样品无破坏．除了薄膜样 机电系统、红外探测器、铁电存储器、电光开关等方 品需要具有底电极和适宜的尺寸外，对样品不需作 面获得广泛应用，从而在近年来已经成为了世界范 其他处理，PFM可在大气环境下操作，成像迅速、电 围内的新材料的研究热点之一’1_3o．在众多的铁电 畴图像的分辨率高，可达到纳米级，对畴结构无损伤 薄膜之中，(Pb，La)TiO，(PLT)薄膜随着La的掺入量性‘1…．通过锁相放大器，从调制的静电力信号就能 的不同，其性能可以在较大的范围内进行变化，从而 够得到样品的电畴结构的信息¨4；．锁相放大器的相 在非致冷热释电红外传感器与红外热成像器件¨’51、 位，可以被调制成显示为在电畴图像中的黑暗(明 电光开关与光波导器件№。等方面获得了广泛应用． 亮)的区域． 要更好地了解铁电薄膜的各种功能特性，就要 铁电薄膜的电畴与其制备条件、结晶状态关系 确定铁电薄膜中的电畴结构．电畴的传统检测方法 十分密切，而结晶良好、电畴结构均匀、畴界清晰的 铁电薄膜，具有优良的电学性能．本文利用射频磁控 有SEMn]，TEM[8。，偏光显微镜阳]，表面腐蚀¨们和粉 末花样技术口川等．这些方法存在制样过程复杂、破 坏样品、电畴成像分辨率低等缺点．扫描力显微镜 (SFM)的原子力模式(AFM)和压电响应模式(PFM)工艺下PLTl0铁电薄膜的结晶特性与电畴性能，并 课题． t通讯作者，E．mail：nic0400@scu．edu．cn 万方数据 物 理 学 报 55卷 研究了PLTl0铁电薄膜的介电与热释电性能 表面的迁移率更大，PLTl0铁电薄膜的表面更加光