机电传动控制之电力电子技术.ppt

电力电子技术 晶闸管和全控型器件的基本工作原理及特性 驱动电路及保护措施 整流电路 逆变电路 斩波电路及PWM控制技术 电力电子技术 1、不可控型开关器件 缺点： 过载能力差。 抗干扰能力差（就是因为放大倍数大引起的）。 容易导致电网电压波形畸变。 控制电路复杂。 晶闸管的内部结构 晶闸管试验 0-t1:开关未合上，控制极对阴极的电压为0，尽管阳极对阴极的电压为正，晶闸管未导通. 晶闸管特性 （1）若控制极不加正向电压，则不论阳极加正向电压还是反向电压，晶闸管均不导通，这说明晶闸管具有正、反向阻断能力； （2）晶闸管的阳极和控制极同时加正向电压时才能使晶闸管导通，这是晶闸管导通必须同时具备的两个条件； （3）在晶闸管导通之后，其控制极就失去控制作用，欲使晶闸管恢复阻断状态，必须把阳极正向电压降低到一定值（或断开，或反向）。 （4）晶闸管导通后，两只三极管饱和导通，阳极与阴极间的管压降为1V左右，而电源电压几乎全部分配在负载电阻上。晶闸管的PN结可通过几十安~几千安的电流。晶闸管触发导通的时间为几微秒。 晶闸管的伏安特性 （1）正向阻断状态：晶闸管的阳极与阴极间加上正向电压，而晶闸管控制极开路（Ig=0）情况下，开始元件中有很小的电流（称为正向漏电流）流过，晶闸管阳极与阴极间表现出很大的电阻，处于截止状态（称为正向阻断状态），简称断态。图中第一象限红色段曲线。 晶闸管的主要参数 1.断态重复峰值电压 晶闸管的主要参数 2）反向重复峰值电压URRM 在控制极断路时，可以重复加在晶闸管元件上的反向峰值电压，此电压数值规定比实测反向击穿电压小100V。 晶闸管的主要参数 3.额定通态平均电流（额定正向平均电流） IT 在环境温度不大于40°和标准散热及全导通的条件下，晶闸管元件可以连续通过的工频正弦半波电流（在一个周期内）的平均值，称为额定通态平均电流，简称为额定电流。即： 晶闸管的主要参数 晶闸管好坏的判断方法 电力晶体管 电力场效应晶体管 绝缘栅双极晶体管 §2 可控整流电路 1、单相半波可控硅整流电路 电感性负载 2、单相桥式可控整流电路 VS1和VS2是晶闸管， V1和V2是不可控的二极管 单相半控整流桥---反电势负载 晶闸管截止时，负载上的电压等于反电动势 反电势负载上的平均电压可能高于纯电阻负载 平均输出电流:Id=(Ud-E)/R 电流的幅值与平均值之比值相当大，晶闸管元件工作条件差，晶闸管必须降低电流定额使用 单相半控整流桥---反电势+电抗负载 单相全控整流桥 电阻性负载和半控整流相同，控制角范围为：[0, π] 电感性负载时，如果有续流二接管也和半控整流一样 无续流二极管时，可以逆变，即电压为负。 3 三相半波可控整流电路 三相半波可控整流电路--电阻性负载 三相半波可控整流电路--电阻性负载 三相半波可控整流电路--电阻性负载 三相半波可控整流电路 三相半波可控整流电路--电感性负载 三相半波可控整流电路 由于续流二极管的作用，负载上的电压波形同电阻性负载，电流波形同电感性负载 导通角同电阻性负载 共阴、共阳串联的三相桥式整流电路 三相桥式全控整流电路 各种整流方式比较 §4 逆变器 整流：把交流电变成直流电 逆变：把直流电变成交流电 变流器：一套装置可以实现整流和逆变双向过程，叫变流器 有源逆变：变流器的交流侧接到电源，把直流电变成同频率的交流电反馈到电网中。 无源逆变：交流侧接负载，把直流电变成频率可变的交流电驱动负载。 4.1 有源逆变电路 10.4.2 无源逆变电路 例题 单相晶闸管桥式逆变器 单相无源逆变器的电压控制 无源逆变器的换相（换流） 在t1时刻， VS1、VS4已导通，ua为正，触发VS2、VS3 由于VS2、VS3导通，a点的电势为b点的电势加ua高于M点，所以VS1截止。 10.5 闸管触发电路 提供足够大的触发电压和电流，4-10V 单结晶体管 单结晶体管是一种特殊的半导体器件，它有三个电极，其中一个发射极和两个基极，故又叫双基极二极管。它的外形与普通三相管相似，但特性与晶体三极管不同，其结构如图。 单结晶体管的自振荡电路 在接通电源前，电容C上的电压为零。 合上电源开关S时： 电源E 一方面通过R1和R2加于单结晶体管的b1和b2上， 电源E又通过充电电阻R向电容C充电，电压便按指数曲线逐渐升高。 UC在较小时，发射极电流极小，单结晶体管的发射极e和第一基极之间处于截止状态； 振荡电路参数 单结晶体管触发电路 实际应用的晶闸管触发电路，要求在晶闸管承受正向电压的半周内，控制极获得第一个正向触发脉冲的时刻(α)都相同。 在电源电压正半周经过零点时，触发电路的电容C 必须把电全部放掉，在下一个正半周再重新从零开始充电， 交流电源