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第38卷第1期 微电子学 V01．38。No．1
2008年2月 Mfcroelectronics Feb．2008
SoI一纳米技术时代的高端硅基材料
林成鲁
(中国科学院上海微系统与信息技术研究所；上海新傲科技有限公司，上海201821)
摘要： 绝缘体上硅(SOI)是纳米技术时代的高端硅基材料。详细介绍了SOI在半导体技术领
域中的应用，以及近年来为满足SOI的特殊应用要求研发的多种SOI新材料及其制备技术；综述
发展前景进行了展望。
关键词： 高端硅基材料；绝缘体上硅；绝缘体上应变硅；绝缘体土锗
中图分类号：TN304 文献标识码：A
Silicon-BasedMaterialsfor Era
SOI。___。·——Advanced Nanotechnology
LIN
Cheng—lu
and Chinese Sciences
Institute I
(ShanghaiofMicrosystemInformationTechnology，TheAcademyof
SIMGUI 201821，P．R．China)
Shanghai TechnologyCo．，Ltd．，Shanghai
anadvancedsilicon-basedmaterialfor
Abstract：Silicon-On-Insulator(SOI)is Era．Applications
NanotechnolcIgY
in A ofnovelS01materialsfor isexam-
0fSoIinmicroelectronicsaredescribeddetail
variety specificapplications
withtheirfabrication state-of-the-artofSOl strainedsilicon-on-
ined．along technologies．The technology，including
insulator(sSlolI)and reviewed．And trendandfuture
germanium-on-insulator(GOI)，isfinally，thedevelopment
ofsIm arediscussed．
prospect technologies
Advancedsilicon-based on silicononinsulator(ssoI)
Keywords： rnaterial；Siliconinsulator(S01)；Strained
E】殴蜒IC： 2520
后的2013年，集成电路将进入32am技术代，并于
1 纳米技术时代的高端衬底材料
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