45nm节点金属硅化物的选择性蚀刻.docVIP

  45nm 节点金属硅化物的选择性蚀刻 董飏1,2，黄其煜1，荣楠2，廖勇2* （1. 上海交通大学微电子学院，上海 200240； 5 10 2. 中芯国际集成电路制造有限公司，上海 201203） 摘要：在 45nm 节点制程中,用 NiPt 取代 Ti 和 Co 成为金属硅化物的主要材料，常用的制备 方法是两步加热法。本文通过实验得到金属硅化物制程中，采用含量为 10% NiPt，厚度 100? ，快速热退火 1（RTA1） 280，快速热退火 2（RTA2）500是最优化的制程工艺。 在此基础上，提高 Pt 的含量，虽然增加了 NiSi 的热稳定性，但自对准硅化工艺后选择性去 除时，容易有 NiPt 残留物残留在晶圆表面。使用传统低温硫酸无法有效去除 Pt 含量为 10% 的金属硅化物。而使用 180的高温硫酸清洗 80 秒，可以解决由于 Pt 含量提高而导致的 NiPt 残留物残留在晶圆表面的问题。 关键词：金属硅化物；镍硅化物；选择性蚀刻；硫酸 中图分类号：TN305.2 15 45nm metal silicide selective remove Dong Yang1,2, Huang Qiyu1, Rong Nan2, Liao Yong2 (1. School of Microelectronics,Jiaotong University, ShangHai 200240; 2. Semiconductor Manufacturing International Corporation, ShangHai 201203) 20 25 30 35 Abstract: NiPt has replaced Ti and Co to become a major material for the 45nm node process. The wafers are prepared by standard 45nm process flow with two-step silicidation process scheme. In this study, it was found that when 10%NiPt was used , parameter of thickness at 100? , rapid thermal anneal process 1 (RTA1) 280℃, rapid thermal anneal process 2 (RTA2)500℃ were the best process condition. Even though increasing the Pt content will significantly increase the stability of NiSi, it may increase the difficulity of wet selective etch process as well. It may leave NiPt residue remain on wafer unreacted. Using conventional low temperature SPM(Sulfuric Peroxide Mixture) can not remove the un-reacted NiPt. However, treated with high temperature SPM at 180℃, it can solve the problem of remained un-reacted NiPit effectively caused by the higher Pt concentration. Keywords: Metal silicides; NiPt silicide; selective etch; SPM 0 引言 由于其在微电子应用中作为低电阻率互连（interconnect）和接点（contact）材料，硅上 生长的金属硅化物作用非常重要，自对准硅化工艺（Self-aligned Silicidation）已成为超大规 模集成技术的一个重要部分。图 1 给出了 Contact 部分的硅化物的示意图[1]。 图 1 接点部分的硅化物[1] Fig.1 Contact Salicide 作者简介：董飏，（1982-），男，中芯国际工程师，上海交通大学在职研究生，主要研究方向为半导体湿 法清洗技术。 通信联系人：黄其煜，男(汉)，副教授，硕士生导师，研究方向是集成电路工程。E-mail: Davis_Dong@ -1-   TiSi ,CoSi 是目前普遍使用的硅化物，但当器件等比例缩小到深亚微米时，TiSi 的线宽