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半导体激光器原理与制造 Semiconductor laser diode PrincipleFabrication 主要内容 1.半导体物理基础知识 2.半导体激光器工作原理 3.工作特性及参数 4.结构及制造工艺 5.面发射激光器 半导体物理基础知识 能带理论 直接带隙和间接带隙半导体 能带中电子和空穴的分布 量子跃迁 半导体异质结 半导体激光器的材料选择 能带理论:晶体中原子能级分裂 晶体中的电子作共有化运动,所以电子不再属于某一个原子,而是属于整个晶体共有 晶体中原子间相互作用,导致能级分裂,由于原子数目巨大,所以分裂的能级非常密集,认为是准连续的,即形成能带 电子总是先填充低能级,0K时,价带中填满了电子,而导带中没有电子 导体 绝缘体 半导体 能带中电子和空穴的分布 能带中电子和空穴的分布 能带中电子和空穴的分布 量子跃迁 光的自发发射 (是半导体发光的基础) 光的受激吸收 (是半导体探测器工作的基础) 量子跃迁 光的受激发射:光子激励导带中的电子与价带中的空穴复合,产生一个所有特征(频率、相位、偏振)完全相同的光子。它是半导体激光器的工作原理基础。 量子跃迁 非辐射跃迁: 异质结界面态的复合 缺陷复合:有源区都是本征材料 俄歇复合:对长波长激光器的量子效率、工作稳定性和可靠性都有不利影响 量子跃迁 特点: 直接带隙和间接带隙半导体 直接带隙半导体跃迁几率高, 适合做有源区发光材料 (如GaAs,InP,AlGaInAs) 间接带隙半导体电子跃迁时:始态和终态的 波矢不同,必须有相应的声子参与吸收和发 射以保持动量守恒,所以跃迁几率低。 半导体异质结 异质结的作用: 异质结对载流子的限制作用 异质结对光场的限制作用 异质结的高注入比 异质结对光场的限制作用 半导体激光器的材料选择 1-能在所需的波长发光 2-晶格常数与衬底匹配 半导体激光器的工作原理 基本条件: 1有源区载流子反转分布 2谐振腔:使受激辐射多次反馈,形成振荡 3满足阈值条件,使增益损耗,有足够的注入电流。 双异质结激光器 分别限制异质结单量子阱激光器 横模(两个方向) 半导体激光器通常是单横模(基模)工作。 当高温工作,或电流加大到一定程度,会激发高阶模,导致P-I曲线出现扭折(Kink),增加了躁声。 垂直横模 侧横模 垂直横模:由异质结各层的厚度和各层之间的折射率差决定。 横模(侧横模) 1.强折射率导引的掩埋异质结激光器(BH-LD) 横模(侧横模) 2.弱折射率导引激光器:脊波导型激光器(RWG-LD) 横模(侧横模) 条形激光器 几种典型的折射率导引激光器 远场特性 θ⊥随有源区厚度及折射率差的减小而减小。 θ∥ 随有源区宽度的减小而增大。 减小有源区的宽度,可以使远场更趋向于圆形光斑。 减小有源区宽度可以使高阶模截止。 纵模 F-P腔激光器: 多纵模工作 DFB激光器 单纵模工作 F-P腔激光器 DFB激光器 DFB-LD与DBR-LD F-P-LD与DFB-LD的纵模间隔 DFB-LD的增益与损耗 工作特性 1.阈值电流 Ith 影响阈值电流的因素: 有源区的体积:腔长、条宽、厚度 材料生长:掺杂、缺陷、均匀性 解理面、镀膜 电场和光场的限制水平 随温度增加,损耗系数增加,漏电流增加,内量子效率降低,这些都会使阈值电流密度增加 工作特性 2.特征温度To(表征激光器的温度稳定性): 测试:To = Δ T / ΔLn(Ith) 影响To的因素:限制层与有源层的带隙差Δ Eg 对InGaAsP长波长激光器,To随温度升高而减小 ΔEg 工作特性 3.外微分量子效率ηd (斜率效率): 可以直观的用来比较不同的激光器性能的优劣。 ηd = ΔP / ΔI 外微分量子效率并不是越大越好,如果太大,光功率输出随注入灵敏度太高,器件容易被损坏。 工作特性 4. 峰值波长随温度的改变Δλb / ΔT: 对F-P-LD,当激光器的温度升高时,有源区的带隙将变窄,同时波导层的有效折射率发生改变,峰值波长将向长波长方向移动。约为0.5nm/℃ 。 对DFB-LD,激射波长主要由光栅周期和等效折射率决定,温度升高时光栅周期变化很小,所以Δλb / ΔT小于0.1nm /℃ 。 F-P-LD与DFB
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