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氧化物 TFT 最新研究进展/ 张 斌等 ·5 · 氧化物TFT 最新研究进展 张 斌，矫士博，刘武君，李俞辰 （彩虹 （南方）研究院，彩虹 （佛山）平板显示有限公司，佛山 528333 ） 摘要 非结晶氧化物TFT 以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年得以迅速发展。本文将对TFT 的发展历程、结 构原理及制备方法进行简单介绍，重点介绍国内外几家有代表性的公司近两年在这方面取得的科研成果。 关键词 ZnO IGZO TFT OLED 平板显示 中图分类号：TN304.055 文献标识码：A The Latest Research Progress on Oxide Based Thin Film Transistors ZHANG Bin, JIAO Shibo, LIU Wujun , LI Yuchen (IRICO (Foshan) Flat Panel Display Company Limited, IRICO (Southern) Research Institute, Foshan 528333) Abstract Amorphous oxide based thin film transistors have attracted worldwide at -tention and developed fastly within several years. In this paper, the developed progress of TFT, the commonly used architecture and working principle, the fabrication method was simply introduced. Then introduced the scientific achievements of several representative company about oxide TFT within this two yeas in detail. Key words ZnO ，IGZO，TFT，OLED，Flat Panel Display 0 引言 退火、离子注入及干蚀刻资金投入过大，工艺复杂，研究人 员正在积极开发性能更好、价格更低且可使用挠性基片的下 以液晶 （LCD ）和有机发光二极管(OLED)为代表的平 一代薄膜晶体管。 板显示器向着大尺寸、高分辨的方向发展，薄膜晶体管(TFT) 其中，作为驱动OLED 面板的有力候补，氧化物TFT 作为平板显示行业的核心部件，其性能愈加显得重要。如何 更是备受期待。与原来的非晶硅TFT 相比，氧化物TFT 的 简化TFT 的工艺流程，并提高其电学特性是平板显示科研 2 载流子迁移率高达10cm /(V ·s) ，是前者的10 倍左右，非 工作者所关心的课题。 常适合应用在电流驱动的OLED 器件中；另外，氧化物TFT 从1962 年P•K•Weimer[1]发明的CdS 薄膜晶体管到现在 可通过Sputter 的方法制造，因此导入时无需大幅改变现有 大规模产业化的硅基薄膜晶体管己有40 多年的历史。在这