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氮化铝功能陶瓷/韩 文等 ·39· 氮化铝功能陶瓷 韩 文，常国海，高 伟，杨宗炼 (贵州省轻工业科学研究所，贵阳 550002) 摘要 高性能氮化铝材料具有优良的导热性能和电绝缘性能，接近于硅的热膨胀系数，低介电常数，耐腐蚀性和高温 下的化学稳定性，被广泛应用于大规模集成电路基板及封装材料等。 关键词 氮化铝 制备 应用 Aluminum Nitride Advanced Ceramics Review HAN Wen, CHANG Guohai,GAO Wei, YANG Zhongnian (Guizhou Light Industry Science Research Institute, Guiyang 550002) Abstract AlN ceramics is are widely applied on to large scale integrated circuit substrates and packing materials ,as due to its high thermal conductivity, outstanding insulation, TEC matching that of silicon, low-k, excellent chemical durability and high temperature chemical stabilization. Key words aluminum nitride, preparation, application 氮化铝(AlN)是一种具有六方纤锌矿结构的共价晶体， (self-propagating high temperature synthesis,简称SHS)起步较 晶格常数a＝3.110Å，c=4.978Å。Al 原子与相邻的N 原子形 晚，它是由前苏联学者Merzhanov 在20 世纪60 年代末期发 [3] 。由于具有能耗少，效率高，产物纯和工艺相对简单 成歧变的［AlN4］四面体，沿c 轴方向Al-N 键长为 1.917Å， 明的 另外 3 个方向的 Al-N 键长为 1.885Å。AlN 的理论密度为 等优点，受到国外高度关注。目前利用 SHS 技术已合成碳 3.26g/cm3。 化物、硅化物及金属间化合物并成为制备陶瓷/金属基复合 [4] 氮化铝(AlN)是一种高热导率的新型陶瓷材料(理论热 材料的重要方法之一 。 导率为319W/(m·K))，是Al O 陶瓷的8~10 倍，低介电常 2 3 1 AlN 粉体合成 数(约为 8.8)，与硅相匹配的热膨胀系数(α20~200℃/42× (1)自蔓延法本质上与铝粉直接氮化法相同，利用放热 -7 -1 14 10 ℃ )，绝缘性优(体电阻率10 )，无毒等特点，随着集 反应使混合体系的反应自发地持续进行而生成材料，基本上 成电路，微型组件与大功率半导体器件的迅速发展，对高热 (或部分)不需要外部热源。