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提高内量子效率(IQE) 成员：安如阳、易小斌、陈荣昌、叶武海、何超文 LED外延结构的内量子效率(IQE)对芯片的发光亮度有着决定性的影响。 有些人误解为IQE由MOCVD工艺决定，其实IQE应该是由外延材料的设计决定。 而国内缺少的恰恰是外延结构的设计人才，只会用设备的人不一定能够长出高质量的材料。 半导体材料的选择 右图示出了Ⅲ-Ⅴ及Ⅱ-Ⅵ族元素的带隙(Bandgap)与晶格常数(Lattice Constant)的关系。 直接带隙和间接带隙半导体，选择哪一类半导体更能提高内量子效率呢？ 直接带隙材料的导带底与价带顶在同一K空间，电子与空穴可以有效地再复合，跃迁复合发光概率大。发光复合发光概率大对提高发光效率是必要的，因此发光二极管经常用直接跃迁型能带结构的晶体制作。 内量子效率的定义 内量子效率（ηint）是一个微观过程复合载流子产生的光子数与复合载流子总数之比。因为无法去计数复合载流子总数和产生的光子总数。因此一般是通过测量LED输出的光功率来评价这一效率。 直接跃迁过程比间接跃迁过程简单，其内量子效率取决于少数载流子的辐射复合与非辐射复合的寿命。直接跃迁的内量子效率可以表示为 从上式可见，提高内量子效率主要在于提高材料的纯度、完整性和改进PN结制作工艺的完美性，以降低非辐射复合中心的浓度。 间接跃迁的复合辐射过程是通过一些发光中心来实现的，这就使得过程复杂化，间接跃迁过程的内量子效率可粗略地表示为 恰当选择发光中心，使它具有较高的浓度及适当的电离能和大的复合截面，并尽可能提高材料纯度和完整性，以降低焠灭中心的浓度，提高ηi。 复合的类型 辐射型复合，伴随光的辐射复合，电子与空穴复合释放的能量产生光子。 常见的复合方式： 1、电子与空穴的碰撞复合、 2、通过杂质能级的复合、 3、通过相邻能级的复合、 4、激子复合。 非辐射型复合，不伴随光辐射的复合，电子与空穴复合释放的能量转变为热量。 常见的复合方式： 1、伴随多数声子的复合、 2、俄歇复合、 3、器件表面的复合。 辐射型复合 因杂质而产生的发光再复合过程 辐射和非辐射之间的竞争决定了LED的内量子效率： 式中， ——非辐射复合中心密度 ——非辐射复合中心能级密度 ——辐射复合中心密度 ——辐射复合中心能级密度 ——非辐射复合概率 ——辐射复合概率 n、p ——自由电子和空穴浓度 由内量子效率的表达式可以显而易知，发光中心密度大，非辐射复合中心密度小，发光中心浅，自由电子密度越大，则内量子效率越高。 制作发光二极管的原材料和各道加工工艺均要避免非辐射复合中心如位错和深能级杂质的引入，这是提高内量子效率的重要措施。 异质结构 异质结是由两块不同带隙能量的单晶半导体连接而成的。 理想的异质结是由晶格参数失配很小（小于0.1%）的材料制成。 双异质结构 双异质结是由一层窄带隙P型有源层夹在n型和p型的宽带隙导电层中。 双异质结增加了有源区中过剩载流子的浓度，从而增加了辐射复合的概率。 利用异质结构，会使得材料组分的变化引起带隙的变化。 当然，单异质结构和双异质结构都要求材料之间具有较好的晶格匹配。晶格常数相差较大，异质界面上会产生很高的缺陷（通常是位错）密度，晶格缺陷会导致非辐射复合。 双异质结构中的有源层变薄能增加辐射复合概率和减小再吸收。 量子阱 量子阱结构（QW）：有源层的厚度可以和晶体中电子的德布罗意波长相比拟或比它小，载流子会被量子限域。量子阱结构是异质结构的一种特殊结构。 电子阻挡层的量子阱 在量子阱和P型导电层之间以带隙更宽的P型材料（Eg3＞Eg1＞Eg2）制作电子阻挡层，防止电子漏入P型导电区来提高注入效率。 有源层是一个右边和左边势垒为U1和U2的非对称QW 多量子阱 多量子阱：两种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构，势垒层足够厚，相邻势阱之间载流子波函数之间耦合很小，多层结构形成许多分离的量子阱。简单而言，就是由多个势阱构成的量子阱结构。 上图是双异质结构 下图是多量子阱结构 光子循环 光子循环是自发的光没有被吸收而被活性层吸收再变成载流子，可以节省电流、增加内量子效率。 光子循环有个局限性，就是大面积才会有明显的效果。 改进内部结构 1.改善电流分布 简单介绍一下材料参数和结构对IQE的影响 双异质结结构：两侧的覆层（Cladding Layer）的禁带宽度要大于活性层（Active Layer），AL采用量子阱结构能更好的限制载流子，提高IQE。然而，采用量