浙江大学半导体测试技术第一章.ppt

电阻率 ρ 对于从原材料到器件的每一步来说都非常重要 对于硅晶体生长： 硅晶体生长过程中（单晶、多晶），分凝，生长条件的变化。。。 外延硅片的外延层电阻率非常均匀。 对于器件： The device series resistance, capacitance, threshold voltage, hot carrier degradation of MOS devices, and other parameters. Diffusion and ion implantation等工艺都将影响硅片的局部电阻率。 电阻率依赖于自由电子浓度n和空穴浓度 p,电子和空穴的迁移率（μn，μp）。如下式， §2. 两探针和四探针法 Two-point probe： (图1a) 易于实现和操作，结果准确性较差。 four-point probe： (图1b) 绝对测量手段，精确，无需校准。可作为其他方法的测试标准。 四探针法对半导体的测试 §2.1 修正因子F F1:样品厚度因子 F2:样品尺寸因子 对于直径为D的样品 对于不同的探针摆放位置，方式，修正因子也不相同 精确四探针测量的一种方案：dual configration 第一次测量： 1进4出，2，3测V 第二次测量： 1进3出，2，4测V 方块电阻表示为： 四探针测量半导体铸锭 §2.2 任意形状样品电阻率 §2.3 测量设置标准 ASTM F8418 and F7631 现代测试仪器带有各种修正因子以适应不同测试条件 最初用于表征离子注入的均匀性 强大的过程监控手段 手工的wafer mapping 始于1970s 用于表征离子注入的一些参数（如方块电阻）在一个样品表面多点测量，然后表现为等高线图。 可用来反应注入均匀性，外延层反应均匀性，扩散层图像。。。 常用的方块电阻MAPPING 技术有： 四探针；调制光反射（modulated photoreflectance）；光密度仪（optical densitometry）  n型半导体： VA = Vb + VD1 ≈ Vb V32 ≈ VA ≈ Vb p型半导体： V32 ≈ VA ≈ 0 STRENGTHS AND WEAKNESSES 四探针: 缺点： 对WAFER表面的破坏 金属沉积 探针接触面积大造成测量分辨率下降 优点： 绝对测量，无需校正 原理清楚，使用方便 Mapping 的强大工具 Differential Hall Effect: 缺点： 制样慢，数据量有限 优点： 无损测量 设备便宜 扩展电阻: 缺点： 需要熟练的测量技术，系统需要周期性校准，探针需要周期性回复 针对硅、锗，对其他半导体不太适合 样品准备要求细致，测量是损伤性的 设备昂贵 高阻样品测量和解释要小心 优点： 可测量复杂结构样品，高分辨率，不受深度，掺杂浓度限制 无接触测量: 缺点： 无法测量薄层的方块电阻（需要膜层方块电阻值100倍小于衬底，只有金属层在半导体衬底或重掺层在绝缘衬底的样品能够测量） 优点： 无接触，无损伤 设备商业化 用于测量半导体电阻率和膜层厚度（metal layers on semiconductor） 光测量: 缺点： 定性测量，定量需要校准 只能获得平均值，无法做轮廓扫描测量 激光偏移，损伤驰豫。。。 优点： 无损伤测量，快速mapping 设备商业化 用于离子注入监控 作业： 1. 方块电阻为什么普遍用于表征薄膜? （思考） 2. 硅片导电类型如何确定？（思考） 3. 如图，已知μn = 1250 cm2 / V · s. 样品为n型层在p型衬底上， (a): 求Rsh (b): 求ρ 、σ、Rsh分别与X的关系，并绘制Rsh－x曲线 示例：热探针法（a)与整流探针法(b) 。 (c)为(b)的等效电路，（d)为一实测数据 例如：薄半导体层 四探针可测量高达1010–1011 ohms/square的方块电阻,采用测量电流 10－12安培 探针可能穿破薄注入层－利用汞电极替代金属探针 （6）表面处理 表面电荷层－ 钝化处理 高电阻率样品或低温样品利用四探针法测量较困难 §3. Wafer mapping 200 mm diameter Si wafers. Four-point probe contour maps; (a) boron, 1015 cm?2, 40 keV, Rsh(average) = 98.5 ohms/square; (b) arsenic, 1015 cm?2, 80 keV, Rsh(average) = 98.7