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第29卷第8期 电 子 元 件 与 材 料 Vbl．29No．8
2010年8月 ELECTRONICCoMPONENTSANDMATERIALS Aug．2010
AIN．SiC微波衰减陶瓷在X波段的选频衰减性能
陆文慧，李晓云，丘泰，罗辑
(南京工业大学材料科学与工程学院，江苏南京210009)
摘要：以氮化铝、碳化硅为原料，氧化钇为烧结助剂，在1900℃，氮气气氛中，采用热压烧结工艺制备了
AIN．SiC复相微波衰减材料。借助网络分析仪，研究了该材料在8—12GHz的微波衰减性能．结果表明，当SiC质
dB
量分数从0增加到9％时，该材料的谐振损耗峰所对应的频率从10．86GHz降低到10．1lGHz，所对应的峰值从3．2
min后，
降低到O．7dB，而该材料的有效衰减带增大；在900一l000℃．氢气(纯度≥99．99％)气氛中保温30～50
该材料的谐振频率维持在10．65～lO．62GHz，谐振峰峰值略微减小；这表明在氢气气氛中的热处理对该材料的微波
衰减性能影响较小．
关键词：微波衰减陶瓷；氮化铝；碳化硅：选频衰减
中图分类号：TM28 文献标识码：A 文章编号：1001—2028(2010)08—0001—04
— attenattenuation OtAl州一Sl
Frequency．selectiveoerformance“AlN．SiCoertOrmance
attenuationceramicswithintheX．band
LU Ji
Wenhui，LIXiaoyun，QIUTai，LUO
ofMaterialsScienceand University 210009，China)
(College Engineering，NanjingofTechnology，Nanjing
were methodatl900℃in AINand
Abstract：AlN-SiC the
compositespreparedby hot-presssintering ni仃ogen，with
SiCasrawmaterialsand as additive．Themicrowaveattenuation oftheAlN—SiC
Y203sintering performance composites
ofSiCiS
withinthe of8-12GHzwerestudiedthenetwork resultsshowthat。whenthecontent
range using analyzer．The
increasedfrom0to9％(mass andvalueoftheresonantattenuationtheAIN—SiC
fraction)，thefrequency peal(of
reducefrom10．86GHzto10．1lGHzandfrom3．2dBto0．7 th
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