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RTCVD 制备多晶硅薄膜的性能参数研究
1，4 2 3 2，4
王磊 ， 沈辉 ，胡芸菲 ，班群
（1. 中科院广州能源所太阳能室，2. 中山大学理工学院
3. 华南理工大学机械学院 4. 中山大学珈伟实验室）
摘要：研究了RTCVD 设备参数如：温度、反应气体流量、沉积时间对多晶硅薄膜的性能的影响，通过扫描电镜（SEM）、
X 射线（XRD）、霍尔测试及电池模拟软件PC1D 描述了薄膜性质随各参数的变化规律性，提出改进薄膜性能的思路。
关键词： RTCVD 多晶硅薄膜 太阳电池
0 引 言
多晶硅薄膜太阳电池作为目前太阳电池领域研究的热点,具有原材料消耗低,转换效率高、性能稳定
等优点。研究表明，如果采取合适器件结构，15 微米厚薄膜晶体硅太阳电池的理论效率可达27%[1]，接
近体单晶硅电池的理论极限。而如何获得优质的多晶硅薄膜层则是提高电池效率的关键因素之一。本实
验采PTCVD 法(Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition)，以颗粒硅带（Silicon Sheet from Powder，
SSP）、多晶硅（Poly-Si）为衬底材料，进行了硅基薄膜外延工艺的性能参数研究，分析了实验结果，
总结实验规律性。
实验设备是从我们与德国 Fraunhofer ISE 合作研制，采用光学加热的方式，热源为两排立式卤素
灯,对反应石英腔水平对称加热，反应气体为SiHCl ，H 为还原气体，B H 为掺杂气体，整个反应可表示
3 2 2 6
为：
SiHCl ＋ H → Si + 3HCl （1）
3 2
事实上，以上反应由多步反应组成，而反应本身也式可逆的，即同时有硅的腐蚀反应发生：
Si ＋ nHCl → SiCln + n/2H2 （2）
图1 RTCVD 工作原理图
Fig.1 Schematic drawing of RTCVD
2 实验结果与讨论
2.1 沉积温度对外延生长的影响
图1 中薄膜晶粒尺寸是通过SEM 扫描电镜观察得到的平均值，由图可知，随着沉积温度的升高，所
沉积的多晶硅薄膜晶粒随之增大，而大晶粒有利于提高薄膜电池的效率。所以，在以RTCVD 设备沉积多
晶硅薄膜时反应温度应不低于1100℃，考虑到设备的承受能力及硅自身的性质，实际实验中所采用的温
度范围在1100℃－1170℃之间。
40 40
35 grain size 35
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30 diffusion length 30
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