硅中与钯相关的深能级的研究.pdfVIP

维普资讯 第 10卷 第 5期 半 导 体 学 报 Cot．10．No．； 1989年 5月 CH INESE JOURN．AL 0F SEMICONDUC~ORS 硅中与钯相关的深能级的研究 傅建明 王占国 万寿科 林兰英 (中国科学院半导体研究所，北京) 1987年 12月12日收到 本文采用多种硅材料 ，对扩 Pd快速淬火在硅 中引人的两个与Pd相关的新能级 (丑c一 0．37cV) ( 一0．59ev)进行了系统的实验研究，结果进一步支持 了 和 禹于屈一缺 陷的不同能量状态的看法，但发现缺陷的徽观构成与 B无直接关联，而很可能同间隙Pd与硅 中本征空位缺陷形成的络合物相关． 主题词：硅 ，钯 ，深能级 一 、 引 言 硅中与4 过渡金属相关的深能级近年来 已有不少研究，其 中 Pd作为一种有希望甩 来控制少子寿命的杂质，曾经引起人们广泛的兴趣 ，不少作者研究了N型和P型 si中与 Pd相关的深能级 ，其太部分结果都集中于导带下 O．18eV—O．22cV 的受主与价带顶上 方 0．30--0．34cV 的缺 陷态． 阮圣央等 在快速淬火的扩 Pd深结样品中首先观察到两个新的电子陷阱，分别位于 ＆ 一O．37eV 和 Ec一 0．62eV 处，记为E 和E口，随着等时退火温度的提高(≥l0O℃)， E 和E 二能级旅度逐渐下降，而 一0．18cV和 Ec一0．22cV 能级的浓度不断增加， 至 160qC等时退火后 E 和 Ea完全消失；根据 E “ Ea能级浓度的大致相等及其 电子俘 获截面的实验结果 ，认为这两个能级属于同一缺 陷的不同能态，即 E (0／+)和 Ea(+ ／ ++)；由于在 PII11深结样品中有一硼尾伸人 n区，故推测其缺陷结构是快扩散的间隙 Pd和带负电的替位硼B在淬火过程 中形成的 Vd(1)-B()中心；另外，他们认为 Woodb- ury“观察到的 Pd一畸变替位中心对应的应是 Ec— O．18cV 或 一O．22eV能级． 唐九耀等 用 X一SW 方法对 Si：Pd深能级进行了理论研究，他们计算 了具有 Td 对称的间隙 Pd能级，发现有一能级位于价带顶上方 O．04cV处 ，故认为 E 、E 能级不 能归因于简单的间隙 Pd模型，而可能与 Pd和硅晶格中本饪缺陷，(如空位)或浅能级杂 质形成的络合物相关 ，最近 的理论研究进一步表明这两个能级亦艰难归结于 Pd(1)一B() 中心． 本文对多种不同背景硅材料进行了扩 Pd快速淬火实验，并采用结 电容技术 (DLTS； 光 电容等)进一步研究了与 Pd相关 的 E 、E。能级形成 的条件和缺陷的微观结构． 维普资讯 半 导 体 学 报 二、实 验 技 术 1．样 品制备 为了观察 ￡一 ￡ 能级 的产生条件 一．我们选用材料时主要从两个角度出发 ，一是 用各种方法g人【硼，以观察硼在缺陷形成中所起的作用；二是选用含碗较少的样品，考察 排除硼的影响后的实验结果；样品全部为n型． 由于测量主要用结电容方法，故样品一般制作成 pn结或 肖特基势垒二极管 (SBD)． 首先溅射 Pd或涂覆 PdC1的盐酸溶液于样品背面 (毛面)，已经证实这两种方法是同样 可靠的 ；然后在 900— 1000~(3下扩散 1．5—2小时，通高纯 N 保护 ；扩散完毕后 ，加大气 流 ，快速淬火至室温 ，样品背面形成 的Pd的硅化物是 良好的欧姆接触 ，由于 ￡ 能级 退火温