利用能量过滤成像技术对注氮SO1的研究.pdfVIP

维普资讯 第 11卷 第 9期 半 导 体 学 报 V ．1l， No．9 1990年 9 月 CHlNEs置 JOURNAL OF S置材]CONDUCTORS Sept．． 199D 利用能量过滤成像技术对注氮 SO1的研究 段晓蜂 都安彦 (中国科学鲩北京电子显强镜实验室) 褚 一 呜 (中茸科学院半导体研究所，北京) l989年 9月 7日收到 本文报道 了利甩能量过旅成像技术对注氯 sol结构的研究． 能量选{摹狭缝分别置 于 A置葺 t6eV和 A 一g5eV，对应于 si和 Si-N．的等离子能量损失的非弹性散射，电子显徽照 片可以给出更多的结构信息．顶层单晶硅和上氯化硅层之间的过渡层可以明显地期分成两个 亚层：氮化硅亚层和硅亚层．从衬底的11l衍射束成的暗场像看出硅亚层的晶垃取向与碗 层单晶硅的取向是不同的，这说明硅亚层中的硅晶粒的形成与长大与顶层单晶硅的形成无关 ． 主墨调 注氮 SOl结构，透射电子显徽学，电子能量损失谱，电子能最过滤成像 一 、 引 言 高剂量氨离子注人使单晶硅 中形成氮化硅埋层是制作集成电路的一种新工艺． SOl 即为绝缘层上的硅结构．对此已有不少人作 了研究．通常都是利用普通透射 电子显馓成 像技术 (CTEM)来观察横截面样品的微结构，同时利用俄歇谱仪 (AES)，或二次离子质 谱仪 (slMs)得到氮的深度分布曲线 ，也有人利用扫描透射电镜的能量损失谱仪对样 品逐点作成分分析来获得氮的深度分布 曲线m． 本文利用能量过滤成像技术，分别选择相应于硅的等离子能最损失的电子和氯化硅 的等离子能量损失的电子成像 ，获得了比CTEM更清晰的氯化硅埋层的显微结构像，同 时利用元素分布成像技术得到了氮的元素分布图． 本实验所使用的电镜为欧波同CEM 902透射 电子显赦镜，该电镜装有一个 Castaing—Ottensmeyer型能量过摅装置． 二、 实 验 氯化硅埋层样品的氯离子注人 电压为 150kV，注人剂量为 1．2X 10c‘m～，衬底为直 径 SOmm(ioo)取向的P型硅片，注入后表面覆盖了50rim的SiO层．退火处理温度为 I200：~C，保温时间为 2小时．样品首先用机械减薄、抛光，然后用氩离子减薄制成可供电 镜观察的横截面薄膜样品．实验中能量过滤成像、氨元素分布 图及能量损失谱等工作都 是在欧波同CEM 902电镜上完成的，衍射像等工作是在飞利浦EM 430电镜上做的． 维普资讯 9期 段晓峰等 ：利用能量过谴成像技术对注氮 SOI的研究 689 三 、电子能量过滤成像f，】 高能 电子穿过样 品时 ，会发生多种非弹性散射而损失一定的能量．如果选择损失了 某一特征能量的电子成像 ，就可获得这一特征过程的有关信息．在这里 ，主要有两种特征 过程：即使原子内层电子激发的能量损失过程和激发样品内等离子体振荡的电子能量损 失过程．在 ELS中，0~50eV范围内主要是等离子振荡能量损失谱．当所要考察的两种 相的等离子能量损失差别较大时，即仪器的能量选择缺缝可 以分辨时，则可分别选择相应 的等离子能量损失的电子成像来区分这两种相．通常导体和半导体的等离子能量损失为 1O～20eV，绝缘体的等离子能量损失为 20～30eV． 在我们的实验中，si的等离子损失 为 16eV，Si，N·的等离子损失为 25eV． 利用使原子内层 电子激发而损失了某一特征能量的电子成像，则可以得到元素的分 布 图．利用与 CEM 902电镜联机