氧离子辅助法沉积ITO透明导电膜的研究.pdfVIP

第9 卷　第2 期　 光学　精密工程 Vol. 9, No. 2 2 0 0 1 年 4 月 O PT ICS AND PR EC IS ION EN G IN EER IN G A p r. , 2001 文章编号　1004924X (2001) 氧离子辅助法沉积 ITO 透明导电膜的研究 初国强, 王子君, 赵家民, 刘毅南, 刘　云, 刘星元, 王立军 ( 中国科学院激发态物理开放研究实验室, 吉林 长春　130021; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春　130022) 摘要: 论述了 ITO 膜的导电及生长机理, 讨论了离子辅助 ( IAD ) 电子枪蒸镀 ITO 膜的方法中, 膜的组 分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对 ITO 膜光电性能的影响, 在选择合适的工艺条件下制备 - 4 ( ) 膜, 电阻率约3 ×10 · , 可见光平均透过率高于 80% 。并用原子力显微镜 对溅射及蒸 ITO cm A FM 发膜进行了表面面型测试。 关　键　词: 离子辅助沉积; ITO 膜; 电子束; 氧空位; 原子力显微镜 中图分类号: TB 43　　文献标识码: A 器件的制作工艺, 这在很大程度上增加了获得优 1　引　　言 质 ITO 薄膜的工艺难度。我们利用离子辅助电子 枪真空蒸镀的方法制备 ITO 膜, 即利用高能电子 ( ) 　　ITO 膜 即重掺杂 SnO 2 的 In2 03 膜 是具有 束轰击铟、锡氧化物混合原料表面, 使其升华, 然 立方 bbc 结构的 n 型半导体薄膜材料, 它具有较 后利用氧离子辅助淀积到衬底上形成 ITO 膜, 这 ( ) 宽的带隙 3. 5eV～ 4. 3eV , 易作出高导电性薄 种方法严格的控制参数较少, 操作和控制膜生长 膜。其中 Sn 掺杂可提高载流子浓度, 减小可见光 相对容易, 制备的薄膜不会产生很多不可控杂质, 吸收端波长, 使之具有优良的导电性、较高的可见 采用离子辅助蒸发, 可避免高温及高氧压, 显著增 光区透过率及红外区反射率。ITO 对衬底具有很 加膜的牢固性及功函数, 做出的 ITO 膜面型较 好的附着性和稳定性, 且容易刻蚀形成透明电极 好, 有利于空穴注入和有机光学器件稳定性及寿 图形, 是理想的透明导电薄膜。因此, ITO 膜作为 命的提高。本文选择适宜的工艺条件, 严格控制膜 一种重要的光电信息材料, 在无机和有机薄膜电 的生长速率, 不需热处理就能制备性能良好的 致发光及液晶显示器件的透明电极、异质结太阳 ITO 膜。 电池、抗静电干扰窗口、热反射窗口及透明电加热 器等方面得到广泛应用。 2　ITO 膜的导电和生长机理 ITO 薄膜的制备方法很多, 常见的有喷涂 法、真空蒸发、化学气相淀积、反应离子注入以及 　　 关于 ITO 膜的导电机理人们有多种论 磁控溅射等。在这些方法中, 溅射法由于具有良好