用改进的调制光电流相移分研究氢非隙态分.pdfVIP

第 卷第 期 半 导 体 学 报 , 年 月 , 用改进 的调制光 电流相移分析技术 研究氢化非 晶硅 的隙态分布 盛 然 孔 临 显伯 殊 光 廖 夏 钱 德 传 郑怀 中国科学 院半导体研 究所 北 京 。。 摘要 本文提 出 了一 种严格校准调制光 电流 相移 的方法 , 在此 基础 上 , 采用调制光 电流相 移分 析技术研 究 了不掺杂氢化非 晶硅 一 薄膜 费米 能级 以上 隙态密度及其分布 的光致变化 效应 实验 发现 , 光 电流 相 移 的校 准 对 确 定 隙态 密度 及 其分布是 至 关重要 的 除 了校 准测 试 系 、 统 的相 移频 率特性 外 , 还 需考虑 样 品本 身 电阻 电容等参数 的影 响 , 否 则会使 隙态 密度偏低 , 一 个 数量 级 经严 格校 准 的光 电流 相移 测 试 的隙态分布在 导 带边 以 下 约 。 , , , 处观察 到 一个 峰 可 能是双 占据 悬挂 键 一 中心 引起 的 光 照 引起 浅 态减 少 深 态 增 加 引起 了 隙态重新分布 , , , 引言 由于氢 化非 晶硅 一 薄膜 的 电学和 光 学性 质在 很大程度上 取决于 带 隙定域态及 其分布 , 因