氧化物透明导电膜的研究进展.pdfVIP

李红霞 等：氧化物透明导电膜的研究进展 1091 氧化物透明导电膜的研究进展* ∗ 李红霞，刘 宏，王继扬，李 霞，崔红梅 ( 山东大学 晶体材料国家重点实验室，山东 济南 250010) 摘 要：介绍了透明导电薄膜主要的种类及发展过 显著，通常厚度在 3~15nm 之间。当厚度超过 20nm 程，对氧化物透明导电薄膜的不同的制备工艺作了比 后，光学透过率急剧下降。而氧化物透明导电膜不存 较，并概括了氧化物透明导电薄膜的应用领域；在对 在类似于金属的厚度限制。因此,我们有必要对氧化 氧化物透明导电薄膜的最新研究进展进行综合评述 物透明导电薄膜作进一步的介绍。 的同时，提出了透明导电薄膜的研究方向和目前亟待 透明导电氧化物薄膜（transparent conductive 解决的问题。 oxide 简称TCO ）主要包括In 、Sb、Zn 和Cd 的氧化 关键词：导电率；透过率；制备工艺 物及其复合多元氧化物薄膜材料，同时，人们还开发 中图分类号：Q484.4+2 文献标识码：A 了Zn SnO 、In Sn O 、MgIn O 、CdIn O 等多元透 2 4 4 3 12 2 4 2 4 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-1091-03 明氧化物薄膜材料。TCO 最早出现于20 世纪初，1907 年Badeker 首次制成了CdO 透明导电薄膜，从此引发 1 引 言 了透明导电薄膜的开发与利用。1950 年前后出现了 SnO 基和In O 基薄膜。ZnO 基薄膜兴起于20 世纪 一般的导电材料如金属和合金基半导体均为不 2 2 3 [2] 80 年代 。目前研究较多的是ITO （In O :Sn）、ATO 透明材料，但在实际应用中，如利用纵向电光效应制 2 3 （Sn2O:Sb ）和AZO(ZnO:Al) 。 作电光Q 开关中，要求某些材料，特别是薄膜材料在 2.1 二氧化锡基薄膜 导电的同时，能够透过所需特定波段的光，这一类薄 二氧化锡膜一般为多晶薄膜,具有正四面体的金 膜即为透明导电薄膜。 红石结构 （a=0.4738nm ，c=0.3188nm ）。它是一种 n 一般而言透明导电膜是指：（1 ）对可见光 型半导体，一般处于简并或接近于简并状态。具有如 （λ=380～780nm ）的光透射率高；（2 ）电导率高。 下的特点：（1）硬度大 （按照莫氏标度为7~8 ）；（2 ） 确切地说，可见光的平均透过率 Tavg 80% ，电阻率 稳定性