MOCVD生长的IIvl族化合物固溶体组分的热力学分析I．ZnS….pdfVIP

维普资讯 第 1l卷 第 3斯 半 导 体 学 报 v0【_11 No．3 l990年 3月 CHINESE JOURNAL OF SEM ICONDucTORS M a1- t990 MOCVD生长的 II_vl族化合物 固溶体组分的热力学分析 I．ZnSSe1一 体系 陆 大 成 (中国科学院半导体研究所，北京) I989年 3月 10日收到 金属有机化学汽相淀积 (MOCVD) 通常被认为是一个非平衡过程． 然而在生长速赛的 扩散控制区，可以假定在汽一固界面存在平衡．本文甩平衡模型计算了用二甲基锌 (DMZ)或 二乙基锌 (DEz)与硫化氢和硒午匕氢为凉，生长 z4s—Se 。三元台金时，軎反应参数对固藩体 组分的影响．本模型考虑了汽相中 H，s和 H，se的热分解，固溶休的非理想行为，计算了生 长温度，压力 输入反应塞的、 【Vl／llj比和初始氢舍量对同藩体成分的影响，并把计算值与实 验结果进行了比较． 主量词 znsse… ，MOCVD，热力学，固一汽分配 系数 一 、 引 言 近年来 II—VI族化台物半导体及其固溶体引起了人们越来越多的关注，这是 因为 II—Vl族化合物在光电子学方面有很大的潜力．它们的带隙覆盖了全部可见光区 近红 外和中红外区．另—方面分子柬外延 和 MOCVD技术的发展开辟了制造高质量 II—VI 族化合物及其固溶体薄膜的新途径．例如以二甲基锌 (DMZ)和原位合成的 se为源 的 MOCVD 法生长酌 znse，已获得了极高的纯度 ．用 MOCVD 技术制备 II—V1族 化告物固溶体的工作也已经开始． 目前最令人感兴趣的三元固溶体为 ZnSSe一 和 I：-IgI一Cd，Te 两个体系． 对于前者，人们 已发现固相组分与汽相组分之间的非线性关 系，不仅如此而且为了获得某一 值的 ZnSSe一 ， 不同作者采用的生长条件也极不棺 向． 为此阐明影响固一汽分配系数的原因对于今后 II—VI族固溶体的研究是极为 有 用 的． ． Stringfellow 曾经指 出在 III-V 族化合物的 MOCVD 生长速度的扩散控制区，可 以假定在固一汽界面存在平衡，并利用热力学模型计算了 InAs—sb 的固相组分与汽梅 组分之间的关系，其结果与实验值符合的很好 ，这表明固一汽间的组分分配是受热力学因 素控制的． 其后 Seki和 Koukitu“对于 III-V 族固溶体的 MOCVD 作了全面的计 算 ．在 Il—vl族化台物方面 Kisker和 Zawadzkl“”给 出了基于简化模型的固一汽分布函 数表达通式． 但他们的通式仅限定于 Hse和 H，S或者完全不分解或者完全分解逸蕊 维普资讯 半 导 体 学 报 种极端情况 ，而且不包括反应室压力项促考虑常压情况 ，因而不能计算反应室总匪力和氧 气 分压如何影 响硫的并人等令人感兴趣的重要问题 ，尽管他们也承认对于硫化物或硒化 物 的 MOCVD 来说 ，低压生长更为重要． 本文将对 ZnSSe一 系统的平衡圊一汽分配关系作更深人的分析． 本分析考虑 H,S 和 Hz 热分解所造成 的复杂化学平衡和固溶体 的非理想情况 ；从而计算 出包括反应室 压力和初始氢分压在内的各反应参数对 ZnSse一 组分的影响． 二、热 力 学模 型 近来越来越多的实验结果表明，在高于一定生长温鹱下，无论是 DMZ—HzSe 还是 D