具有埋层微结构集成电路样品的电子束照射负带电效应分析.pdfVIP

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2017-09-16 发布于重庆
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具有埋层微结构集成电路样品的电子束照射负带电效应分析.pdf

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43 [ ] (SEM) SEM Monte Carlo [] Monte Carlo Abstract: The negative charging effect caused by electron beam irradiation of a dielectric thin film, relates to the quality of the secondary electron microscopy (SEM) image, testing and micromachining. However, the micromechanism remains unclear. To explain the SEM image of a buried microstructure with the constant interface trapped charge, we have first simulated this negative charging progress of a single layer thin film, with the Monte Carlo method and the finite difference method, and then we applied this method to thin dielectric film with buried SiO2 trench. The negative charging secondary electron imaging micromechanism described here will offer advantage in the application to detecting interface defects and charges buried in semiconductor devices. KEY WORDS: dielectric thin film, Monte Carlo simulation, scanning electron microscopy (SEM), interface trapped charge 1 (SEM) 1 Monte Carlo