CdS纳米棒酞菁氧钛复合光导体的光电导性能.pdfVIP

Vo l. 26 高 等 学 校 化 学 学 报 No. 9 2 0 0 5 年 9 月 　　　　　CHEM ICAL JOURNAL OF CH IN ESE UN IV ER SITIES　　　　　 　 1722 ～1725 　 CdS纳米棒 /酞菁氧钛复合光导体的光电导性能 孙景志 , 曹 　健 , 李寒莹 , 洪 　剑 , 汪 　茫 (浙江大学高分子科学与工程系 , 硅材料国家重点实验室 , 杭州 310027) 摘要 　采用以溶剂热方法合成的 CdS纳米棒与酞菁氧钛复合制备的复合光导体 , 在 570 nm 光照下其光电导 性能明显提高 , 将质量分数为 5%的 CdS纳米棒与 TiOPc复合使光敏性能提高 32%. 电子结构的数据和表面 光电压谱分析结果表明 , 复合体系中存在从 CdS纳米棒到 TiOPc 的光致空穴转移 , TiOPc 因被 CdS纳米棒敏 化而表现出高的光电导性能. 关键词 　CdS纳米棒 ; 复合材料 ; 电荷转移 ; 光敏性 中图分类号 　O643　　　　文献标识码 　A 　　　　文章编号 (2005) ( ) 基于酞菁氧钛 TiOPc 的有机光导体已经广泛应用于静电复印机 、激光打印机和传真机等信息技 术设备上. 目前的研究重点是获得具有更高光敏性的光导体 , 因为光敏性的提高预示着复印速度的加 ( ) ( ) [ 1 ] 快 节时 和驱动电压的降低 节能 . 但是由于材料性能和光导体制备工艺的限制 , 制备低成本 、高 光敏性的光导体仍然是一个挑战. 我们通过将不同有机光生材料如四苯基卟啉与对二苯并咪 , 唑 或 TiOPc与卟啉氧钒复合 , 提高了光导体的光敏性 [ 2 , 3 ] . 研究结果表明 , 复合体系中的光致电荷转移是光 敏性能提高的物理起因[ 2 ～6 ] . 考虑到 CdS里典型的 n型半导体 , 纳米 CdS容易分散在聚合物介质中与 TiOPc 形成复合光生材 料 , 因此预期由 TiOPc / CdS纳米结构制备的复合光导体具有提高的光敏性. 本文报道了我们最近对 TiOPc / CdS纳米棒复合光导体的研究结果. 1　实验部分 1. 1　C dS纳米棒与 T iO Pc 的制备 CdS纳米棒采用溶剂热方法合成 [ 7～10 ] , 所用的硫粉 、CdC l 和乙二胺均为分析纯试剂. 将适量的 2 CdC l 和硫粉放入一定量的去离子水和乙二胺的混合溶液中 , 加入到带有聚四氟乙烯内衬的高压釜内, 2 混合并搅拌均匀. 将高压釜密封后置于烘箱中 , 缓慢升温到预定温度保持 48 h. 反应完成后使高压釜 自然冷却到室温 , 采用离心方法分离出产物 , 样品经真空烘干后在 350 ℃下热处理 1 h , 得到淡黄色蓬 松的粉末样品. 采用上述的方法可在不同温度下制备一系列样 品 , 样品的形态和结构分别在 JEM ( ) ( ) 200CX 透射电子显微镜 TEM , JEOL J SM 5510 扫描电子显微镜 SEM 和 日产 P igaku D /m ax38型 X射 线衍射仪上测试. TiOPc