重掺碳GaAs层的MOCVD生长及特性研究.pdfVIP

下载本文档

8
0
约1.69万字
约 5页
2017-09-16 发布于湖北
举报
版权申诉

重掺碳GaAs层的MOCVD生长及特性研究.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第21卷　第3期固体电子学研究与进展 V o l. 21,N o. 3 　　　　　　　　　　　 2001 年 8 月 R ESEA RCH PRO GR ESS O F SSE A ug. , 2001 重掺碳 GaA s 层的MOCVD 生长及特性研究王向武　程祺祥　张　岚 (南京电子器件研究所, 210016) 收稿,收改稿摘要: 采用作为碳掺杂源, 进行了重掺碳层的生长, 并且对掺杂特性 CC l4 GaA s L P M OCVD 进行了研究, 研究了各生长参数对掺杂的影响。流量是决定掺杂浓度的主要因素。减小生长温 CC l4 度、减小比、降低生长压力, 都能较大的提高掺杂浓度。通过改变 CC l4 流量, 在生长温度为 4 4 19 550～ 650 ℃、比为 15～ 40, 生长压力在 1 ×10～ 4 ×10 Pa 的范围内, 均能得到高于 2 ×10 3 的掺碳外延层, 最高掺杂浓度为 8 ×1019 3 cm GaA s cm 关键词: 金属有机化合物气相淀积; 砷化镓; 碳掺杂中图分类号: TN 304054　　文献标识码: A 　　文章编号:(2001) 0333405 - Growth and Character istic of Heavy C doped GaA s - 4 Layer by L P MOCVD Using CCl W AN G X iangw u　CH EN G Q ix iang　ZHAN G L an ( , 210016, ) N anj ing E lectronic D ev ices Institu te CH N : Abstract T he GaA s ep itax ial layers w ith heavy C doped w ere grow n by L P .