透明导电氧化物CuScO的密度泛函理论研究.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 22 (2012) 227401 透明导电氧化物CuScO 的密度泛函理论研究* 方志杰 莫曼 朱基珍 杨浩 1) ( 广西工学院信息与计算科学系, 柳州 545006 ) 2) ( 中国科学院半导体研究所, 北京 100083 ) ( 2012 年3 月30 日收到; 2012 年6 月17 日收到修改稿) 本文利用基于第一性原理的广义梯度近似方法分析研究透明导电氧化物CuScO 能带结构、态密度和杂质能 级. 计算结果表明, CuScO 的价带区主要由Cu 的3d 态和O 的2p 态构成, 而导带区主要由Sc 的3d 态组成. 在进 行 修正之后, 随着 参量的增加, CuScO 的导带区发生分裂导致导带扩大, 带隙也随之扩大, 表明 计算能 较好地改进CuScO 带隙值; 本文还比较分析了各种掺杂元素在CuScO 的杂质能级, 发现Mg 原子替位掺杂Sc 能 有效改善CuScO 的p 型导电性能. 关键词: CuScO , 能带结构, 电子结构 PACS: 74.25.Jb, 61.72.J 型TCO 的电导率低3—4 个数量级. 由于缺乏性能 1 引言 良好的p 型TCO 材料, 目前仍无法实现具有良好 性能的全透明的p-n 结, 因此, 研制性能优越、工 透明导电氧化物 TCO (transparent conductive 艺稳定的p 型TCO 材料成为拓展透明导电氧化物 oxide) 不仅具有良好的电学性能, 也具有良好的光 应用所必须面对的课题. 1997 年, Kawazoe 等研究 学透射性能. 人们将透明导电氧化物广泛应用在太 小组设计出具有较高载流子浓度和高电导率的p 阳能电池、平面显示、特殊功能窗口涂层等光电 型TCO 材料-CuAlO , 这一研究成果 引发了人 们对p 型透明导电氧化物的兴趣. CuAlO 具有铜 器件领域上 . 常见的透明导电氧化物TCO 薄膜 如ZnO, ln O , SnO 等作为新一类性能优越、用 铁矿结构, 其室温电导率为0.95 S/cm, Seebeck 系数 途广泛的TCO 薄膜材料体系, 已经工业化并广泛 为 (正值表明材料具有p 型导电特性), 实验上 得到实用. 然而, 目前广泛研究和应用的TCO 材料 的光学禁带宽度均大于3.1 eV , 在500 nm 厚度 的情况下, CuAlO 的可见光透射率达到80%, 表明 基本上大多数是n 型导电材料 , 即材料中载流 子是电子. 为了能够制备出透明二极管以及更多 该体系可以满足透明电子学的要求. 虽然CuAlO 透明导电器件, 需要研制性能优越、工艺稳定以及