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制造工艺技术
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DOI :10. 3969 /j. issn. 1003 － 353x. 20 11. 10. 008
增强型AlGaN/ GaN HEMT 器件工艺的研究进展
， ， ， ， ， ，
杜彦东 韩伟华 颜伟 张严波 熊莹 张仁平 杨富华
( ， 100083)
中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心 北京
: ， GaN (HEMT)
摘要 随着高压开关和高速射频电路的发展 增强型 基高电子迁移率晶体管
。 GaN HEMT ，
成为该领域内的研究热点 增强型 基 只有在加正栅压才有工作电流 可以大大拓展
。 ， GaN HEMT
该器件在低功耗数字电路中的应用 近年来 国内外对增强型 基 阈值电压的研究主
: ， 、 Al 、
要集中以下两个方面 在材料生长方面 通过生长薄势垒 降低 组分 生长无极化电荷的
AlGaN / GaN 、 InGaN p-GaN ， ; ，
异质材料 生长 或 盖帽层 来控制二维电子气浓度 在器件工艺方面
、MIS 、 、F ， ，
采用高功函数金属 结构 刻蚀凹栅 基等离子体处理 来控制表面电势 影响二维电子
。 ， GaN HEMT
气浓度 从影响器件阈值电压的相关因素出发 探讨了实现和优化增强型 基 的各种
工艺方法和发展方向。
: ; ; ; ;
关键词 氮化镓 高电子迁移率晶体管 增强型 阈值电压 氮化铝镓
中图分类号:TN386. 3 文献标识码:A 文章编号:1003 － 353X (2011)10 －0771 －07
Research Progress of Enhancement-Mode AlGaN / GaN HEMTs
Du Yandong ，Han Weihua ，Yan Wei ，Zhang Yanbo ，Xiong Ying ，
Zhang Renping ，Yang Fuhua
(Engineering Research Center f or Semiconductor Integrated
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