射频磁控溅射制备HfLaO薄膜结构和光学性能研究.pdfVIP

射频磁控溅射制备HfLaO薄膜结构和光学性能研究.pdf

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第26 卷 第 12 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 26 No. 12 2011 年12 月 Journal of Inorganic Materials Dec., 2011 文章编号: 1000-324X(2011)12-1281-06 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2011.01281 射频磁控溅射制备 HfLaO 薄膜结构和光学性能研究 1 2 2 2 李 智 , 苗春雨 , 马春雨 , 张庆瑜 (1. 大连大学 机械工程学院, 大连 116622; 2. 大连理工大学 物理与光电工程学院, 大连116023) 摘 要: 采用射频磁控溅射技术制备HfLaO 薄膜, 利用X 射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构, 通过紫外−可见光分 光光度计测量了薄膜的透过谱, 计算了薄膜的折射率和禁带宽度, 利用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌. 结 果表明: 沉积态HfLaO(La: 25%∼37%)薄膜均为非晶态, 随着La 掺入量的增加, HfLaO 薄膜的结晶化温度逐渐升高, HfLaO(La∼37%)薄膜经900 ℃高温退火后仍为非晶态, 具有优良的热稳定性, AFM 形貌分析显示非晶薄膜表面非常 平整. 随着 La 掺入量的增加, HfLaO 薄膜的透射率先降后增, 在可见光范围薄膜均保持较高的透射率(82% 以上). HfLaO 薄膜的折射率为 1.77~1.87. 随着 La 掺入量的增加, HfLaO 薄膜的折射率呈先增后降的变化趋势, 同时 HfLaO 薄膜的Eg 逐渐降低, 分别为5.9eV(La∼17%)、5.87eV(La∼25%) 、5.8eV(La∼33%)和5.77eV(La ∼37%). 关 键 词: HfLaO 薄膜; 磁控溅射; 热学稳定性; 光学性能 中图分类号: O484; TN386 文献标识码: A Structural and Optical Properties of HfLaO Films Prepared by RF Magnetron Sputtering 1 2 2 2 LI Zhi , MIAO Chun-Yu , MA Chun-Yu , ZHANG Qing-Yu (1. Department of Mechanical Engineering, Dalian University, Dalian 116622, China; 2. School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China) Abstract: HfLaO films

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