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第 19 卷 第 2 期 光 学 学 报 . 19, . 2
V o l N o
1999 年 2 月 A CTA O P T ICA S IN ICA F eb ru ary , 1999
反射率小于 10- 4 的 13 10 nm 光电子器件
增透膜技术的研究
谭满清 茅冬生 王仲明
( 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心, 北京 100083)
摘 要 阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积半导体器件端面光学膜的优 良特性,
介绍了淀积反射率小于 10- 4 的 13 10 nm 半导体激光器端面增透膜技术, 并对这种技术的优点和两
端面淀积增透膜后的激光器特性进行了讨论。
关键词 电子回旋共振等离子体化学汽相沉积法, 半导体激光器, 增透膜, 反射率。
1 引 言
镀制反射率小于 10- 4 的 13 10 nm 半导体激光器端面增透膜是实现 13 10 nm 半导体激光
器超辐射或荧光的必须条件之一。许多学者曾经用电子束蒸发( ) 等物理汽相沉积( )
E B PV D
方法尝试过镀制这种增透膜, 但因电子束蒸发法淀积的光学膜在大气中吸潮而光学性能改
变, 淀积的膜折射率偏差也较大, 所以不容易做出好的结果。
电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积光学膜的原理是[ 1, 2 ] : 将 2. 45 GH z 的微波
导入淀积室, 在 875 ×10- 4 T 的磁场中, 电子的回旋运动和微波发生共振现象, 电子和被导
(
入的 、 、 等气体原子碰撞, 促进电离, 产生等离子体。通入适量的反应气体 如
N 2 O 2 A r2 SiH 4
)
等 进入反应室的等离子区, 使其在衬底表面进行化学反应, 以达到在衬底表面淀积介质膜
) [3 ]
的目的。其优点主要表现在: 1 电子回旋共振产生 30 eV 左右的低能离子 , 能有效减小离
) 11 12 - 3
子轰击 GaA s、InP 等衬底表面所引起的损伤; 2 电子回旋共振产生 10 ~ 10 cm 的离子密
度, 比射频放电的离子密度高 100 倍到 1000 倍, 从而有高的淀积速率和好的致密性; 3) 依据
实际需要, 通过监控各种气流的大小, 可镀制不同折射率的介质膜; 4) 可精确镀制所需折射
率的光学膜, 并有好的重复性和稳定性; 5) 使用石英晶体监控膜厚, 实现光学膜厚的精确
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