反应离子刻蚀PMMA的各向异性刻蚀研究.pdfVIP

第 4 期 微细加工技术 No. 4 2002 年 12 月 M ICROFABRICA TION TECHNOLO GY Dec. ,2002 ( ) 文章编号 2002 反应离子刻蚀 PMMA 的各向异性刻蚀研究 黄龙旺 ,杨春生 ,丁桂甫 (上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细加工重点实验室 ,上海 200030) 摘要 :研究目的是优化 Ni 掩模 PMMA RIE 的刻蚀参数 ,在氧刻蚀气体中加入表面钝 化性气体 CHF3 , 以较快的刻蚀速率获得垂直的侧壁和最小的掩模钻蚀。采用平行 板结构的反应离子刻蚀机刻蚀 ,研究了刻蚀气压、CHF / O 比率和刻蚀温度对垂直、 3 2 侧向刻蚀速率和 PMMA 微结构形貌的影响。试验表明 : 当 CHF3 含量大于 50 %或 O2 工作气压较低时 ,会显著影响 R V/ R L 比, 当 R V/ R L 比大于 8 时 ,试样呈现出完 全各向异性刻蚀。 关 　键 　词 :PMMA ;RIE ;各向异性刻蚀 中图分类号: TN305 ·7 　　　文献标识码 :A 1 　引言 好的方向性和选择比 ,如果垂直刻蚀速率远 大于横向刻蚀速率 ,那么利用 RIE 就有可能 近年来 ,人们对高深宽比工艺极感兴趣。 实现 PMMA 垂直刻蚀。为此本文研究改变 这是因为具有高深宽比、高陡直度和光滑度 工作气压及在氧刻蚀气体中加入不同比率的 的微结构是提高微器件性能 ,如灵敏度、驱动 CHF3 ,分析比较垂直刻蚀速率和横向刻蚀速 力和位移量等的关键。所以寻找一种合适的 率的变化及其对微结构形貌的影响。 微加工方法以实现微结构的高深宽比、高陡 直度和光滑度就具有重要的实用意义。要得 2 　RIE PMMA 过程 到光滑垂直的侧壁 ,就需要侧壁不发生刻蚀 或沉积与刻蚀的速率相平衡 ,然而这是很难 反应离子刻蚀过程包括化学和物理的作 做到的 ,微结构底部及侧壁都暴露在具有化 用过程[1 ] 。 学活性的氧离子体中 ,在产生垂直刻蚀时必 2 . 1 　氧离子对 PMMA 的化学分解 会产生横向刻蚀[1 ] 。 在 O / CHF 等离子体中 ,O 原子和 F 原 2 3 ( ) 子起着重要的作用 ,许多文献提出了可能的化 反应离子刻蚀 RIE 属于干法刻蚀的一 种 ,兼具等离子体刻蚀和物理溅射的优点 ,因 学反应式[2 - 3 ] ,其中最重要的一步 : PMMA 分 此它不仅具有较高的刻蚀速率 ,而且具有良 子中的 H 原子被 O 或 F 原子溅射出来 ,在被 　　收稿日期 ( ) 　　基金项目 : 国家自然科学基金资助项目 ( ) 　　作者简介 :黄龙旺 1973 - ,男 ,江西省广丰县人 ,上海交通大学硕士研究生。 第 4 期 　　　　　　　　　黄龙旺等 :反应离子刻蚀