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高密度多層構裝基板與接合材料研究 -子計劃二 銅接合-低介電材料介電層之界面可靠度提昇之研究 (III) 計畫編號： NSC 90-2216-E-009-032 執行期限： 90 年 8月 1日至 91 年 7月 31日 子計劃主持人：邱碧秀國立交通大學電子工程學系 總計劃主持人：邱碧秀 國立交通大學電子工程學系 一、中文摘要 Keywords: electromigration 、Young’s modulus 、 strength 、thermal conductivity. 本研究將比較SiLK 以及oxide 抗電遷移能力 的優劣，並分析其原因。可以發現以 Oxide當介電 質的試片比 SiLK 有較佳的抗電遷移能力，這是因 二、緣由與目的 為 Oxide的楊氏係數大、強度大、熱導大，而殘餘 隨著積體電路的成長，元件尺寸逐漸地縮小， 應力的效應並不明顯。當介電材料遭受金屬電遷移 使單位晶圓內的容量更大，同時加快元件的操作速 推擠時，大的楊氏係數材料代表產生較小的應變。 度。然而內連線所造成的時間延遲，它正比於金屬 大的強度代表介電材料較不容易產生永久性的形 導線的電阻值乘上介電層的電容值，將影響元件操 變。大的熱導代表熱量較容易排出。 作速度，因此選用銅金屬導線以及低介電係數 (low-k)的材料將勢在必行 [1] ；其次高操作電流密 關鍵詞 ：電遷移、楊氏係數、強度、熱導。 度也將導致電遷移 (electromigration)可靠度問 題 [2,3] 。 Abstract 在電性的量測上，線寬縮小所造成的電遷移現 象更加明顯，電遷移效應是指由於在金屬薄膜上的 In this study, we compares the 離子遷移所造成的結構損傷。金屬離子被電子流攜 electromigration performance between oxide 帶順流 (downstream)移動，空洞 (Void)也因電子流 and SiLK. It is found that oxide as a dielectric 的關係而堆積形成，空洞 (Void)在陰極堆積，而另 material has the better electromigration 外一方面，離子的加速遷移也造成了突物 (Hillock) performance than SiLK, this is because oxide 堆積於陽極。電遷移效應是由於熱和電效應所造成 has larger Young’s modulus, larger strength 的質量遷移。因為突物和空洞的形成，提升了電流 and larger thermal conductivity than SiLK. 密度，也加速了電遷移的效應。而電遷移的速率提 When dielectric materials are compressed by 昇又再導致導線的電流密度提昇，及工作溫度的不 metal lines, the dielectric materials with 斷提昇，導線趨勢又是越做越薄，就像一個急劇上 larger Young’ modulus exhibit less strain. 升的曲線一樣，也加快了電遷移變嚴重的速率。電 Dielectric materials with larger strength will 遷移現象 將使金屬導線產生