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第 15 卷第 4 期 红 外 与 毫 米 波 学 报 V o l. 15, N o. 4 1996 年 8 月 J. In frared M illim. W ave s A u gu st , 1996 　 静压下 Zn S0. 02 Te0. 98 混晶的 共振喇曼散射研究 汪兆平　李国华　韩和相 ( 中国科学院半导体研究所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京, 100083) 葛惟锟　林兆斌　苏荫强 (香港科技大学物理系, 香港, 九龙, 清水湾) 摘要　在 15K 和 1～ 3GP a 静压范围内研究了Zn S0. 02 T e0. 98 混晶的共振喇曼散射, 样品用M B E 方法生长在[00 1] 晶向的半绝缘 GaA s 衬底上. 利用静压调制带隙实现与 488. 0nm 线的共振喇 曼散射. 观察到类 ZnT e 和类 Zn S 两类LO 声子模以及它们的倍频模和组合模. 测得类 ZnT e 的 声子模的压力系数约为 4. 5 - 1 . LO cm GP a 关键词　Zn S T e 混晶, 静压, 喇曼散射. x 1- x 引言 由于蓝绿光范围发光和激光器件发展的需要, 宽带隙 族化合物半导体及其三元混 晶材料的研究引起人们的兴趣. 特别是以Zn Se 为基的 族化合物半导体材料及其量子 阱超晶格结构已被广泛研究. 三元混晶可以调节带隙宽度, 改善晶格匹配, 所以Znx Cd 1- x 量子阱结构已经成为重要的发光和激光器件[ 13 ]. 而且发现在 中加入少量的 Se Zn Se Zn Se [4 ] 等电子陷阱, 会改善器件的发光效率 , 有利于获得 型掺杂层, 形成良好的 型欧姆接 T e p p [3 ] [ 5, 6 ] 触 . 唯独 Zn Sx T e1- x 三元混晶至今研究得很少, 有少数报道分别利用电子束蒸发 、射频 溅射[7, 8 ]、 [9 ] 和 [ 10 ] 方法在 或 衬底上制备 x 1- x 混晶, 主要研究 M OV P E M B E GaA s InP Zn S T e 混晶的晶格常数和带隙随组分的变化. 结果表明, 混晶的晶格常数基本上随组分线性变化, 而室温带隙在 2. 26～ 3. 6 的范围内非线性变化: 当 0. 3 时, 带隙随 的增加而缓慢减 eV x x [ 10 ] 小; x 0. 3 时,