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利用康普顿散射分析碳化硅陶瓷在高温下 使用氧化后组成的变化 申如香，卓尚军，盛 成，钱 荣 　 　 （中国科学院上海硅酸盐研究所，上海 ２０００５０） 摘 要：用波长色散 射线荧光光谱仪，通过测量散射体（样品）对铑的康普顿散射线（ ） Ｘ Ｒｈ犓 　 Ｃ α 强度的变化，实现了碳化硅陶瓷在高温下使用时氧化情况的监控。用一套 只碳化硅校准样品建 ８ 立了康普顿散射强度与样品平均原子序数之间关系的数学模型。利用此模型计算了碳化硅氧化后 组成含量的变化。结果表明：用此方法测得的样品中碳、硅及氧的相对含量与 射线光电子能谱 Ｘ 法所测结果相符，两者间的相对偏差均小于 。据此认为，此方法所测得的数据是可以接受的。 １％ 关键词：康普顿散射；波长色散 射线荧光光谱仪；平均原子序数；碳化硅陶瓷 Ｘ 中图分类号： 文献标志码： 文章编号： （ ） Ｏ６５７．３４ Ａ １００１４０２０２０１２０１０００１０３ 　　　 　　　 犛狋狌犱 狅狀狋犺犲犞犪狉犻犪狋犻狅狀狅犳犆狅狀狋犲狀狋狊狅犳犆狅犿 狅狀犲狀狋狊狅犳犛犻犾犻犮狅狀犆犪狉犫犻犱犲犆犲狉犪犿犻犮狊 狔 狆 犃犳狋犲狉犗狓犻犱犪狋犻狅狀犻狀犝狊犲犪狋犎犻犺犜犲犿 犲狉犪狋狌狉犲狊犫犆狅犿 狋狅狀犛犮犪狋狋犲狉犻狀 犵 狆 狔 狆 犵 ， ， ， 犛犎犈犖犚狌狓犻犪狀 犣犎犝犗犛犺犪狀狌狀犛犎犈犖犌犆犺犲狀 犐犃犖犚狅狀 犵 犵犼 犵犙 犵 （ ， ， ， ） 犛犺犪狀犺犪犻犚犲狊犲犪狉犮犺犐狀狊狋犻狋狌狋犲狅 犆犲狉犪犿犻犮狊犆犺犻狀犲狊犲犃犮犪犱犲犿 狅 犛犮犻犲狀犮犲狊犛犺犪狀犺犪犻２０００５０犆犺犻狀犪 犵 犳 狔 犳 犵 ： 犃犫狊狋狉犪犮狋Ｍｏｎｉｔｏｒｉｎ ｏｆｏｘｉｄａｔｉｏｎｓｉｔｕａｔｉｏｎｏｆｓｉｌｉｃｏｎｃａｒｂｉｄｅｃｅｒａｍｉｃｓｉｎｕｓｅａｔｈｉｈｔｅｍ ｅｒａｔｕｒｅｓｗａｓ ｇ ｇ ｐ （ ，